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AI服务器带火低压GaN:瑞萨抢位,功率采购新变局

发布时间:2026-10-17 作者:辰芯伟业 来源:行业公开信息 阅读:0
氮化镓GaNAI数据中心功率半导体芯片采购现货供应
AI数据中心供电架构从48V向800V直流演进,低压GaN成功率器件新战场。瑞萨10月连发650V与100V两代GaN产品,Navitas与英伟达合作推出24kW 800V转12V电源板,满载效率97%。据行业公开数据,功率器件选型逻辑正在重构,芯片采购需重新评估GaN与硅基方案配比。

提到氮化镓(GaN),多数采购第一反应还是手机快充。但10月一连串动作表明,低压GaN正成为功率器件增速最快的赛道,推手是AI数据中心。

原厂密集抢位:从650V到100V全链条铺货

10月6日,瑞萨发布四款100V增强型GaN功率晶体管,导通电阻1.2mΩ至5mΩ,面向AI数据中心、机器人电驱;9月30日刚发布面向兆瓦级AI数据中心的650V GaN器件。两个月连发两代,原厂判断已从「观望」转为「抢位」。

另一边,Navitas在OCP峰会展示与英伟达合作的24kW 800V转12V电源板:单级架构省掉50V转12V变换级,满载效率97%,功率密度超2000W/in³,是GaN进入AI算力主供电链路的标志性方案。

为什么是800V直流+低压GaN

逻辑是电流:传1MW功率,12V母线要83333A,48V要20833A,800V只要1250A。机柜冲上兆瓦级后,高压直流配电成必然;48V侧同步整流、多相Buck等低压功率级正是100V GaN主战场。英飞凌、TI、纳微及中国GaN企业均已入局。

采购端三个变化要盯住

第一,选型逻辑重算。功率BOM按硅基MOSFET的习惯选型该改了,48V中间母线等低压大电流环节应评估GaN的效率与空间收益,参考设计可直接缩短验证周期。

第二,交期窗口提前。据行业公开信息,FPGA交期已从年初5-15周拉长至约27周,部分功率器件逼近52周。GaN产能集中在少数原厂,主力料号建议提前锁定Q4货源。

第三,现货渠道验真。涨价预期下现货易混翻新料。电子元器件走芯片贸易渠道拿现货时,务必按AS6081标准验货并索要授权凭证。

FAQ

Q:低压GaN会很快替代硅MOSFET吗?
A:不会全面替代,两者按场景分工。快充、服务器电源48V侧等高频高密度场景GaN渗透最快;电压更高、成本敏感的场景硅基和SiC仍是主力。

功率器件换代期,也是优化BOM成本的窗口期。深圳市辰芯伟业科技有限公司长期服务工业、汽车、AI硬件客户的芯片采购需求,59000多个SKU现货供应覆盖GaN、SiC、MCU等料号,替代选型或配单欢迎随时沟通。

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