长鑫第六代DRAM过验证：4F²年底送样，采购别急着换料

4F² 解决的是什么问题

DRAM 的成本逻辑一直是在同样大的晶圆上塞进更多单元。进入 10nm 级后，主流 6F² 单元越来越难缩，4F² 把单元做成 2F×2F，面积约为 6F² 的三分之二，IRDS 路线图将其列为维持成本趋势最有前景的路径。长鑫的方案核心是自研 VSG（垂直包围栅）晶体管，垂直沟道栅控更强，可缓解短沟道效应与漏电；同时把 DRAM 与 CMOS 制造工艺解耦，用晶圆级混合键合做高速互连。

路线之争已公开化

美光科技总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 表示，美光走 6F² 并开发 3D DRAM，不做 4F²，理由是复杂度与成本上升，且研究 4F² 二十年未看到可行微缩路径。长鑫 10 月 31 日回应：位密度提升涉及字线、位线与电容结构的多重博弈，不同节点下各架构在集成复杂度、光刻次数、热预算上的成本效益曲线不同，厂商依自身积累做差异化选择。公开进度上，三星在 ISSCC 2026 发表过 10nm 级 4F² 论文，SK 海力士把 4F² 垂直栅平台与 3D DRAM 并列为两大支柱，长鑫率先完成工程样片验证。

采购要看清的三个时点

技术时点。工程样片验证完成，含义是核心指标已在真实晶圆上达标；之后须客户端验证通过才谈规模量产。年底送样的是首代 DDR5 RDIMM，长鑫明确量产节奏取决于客户验证进度与市场需求，未给时间表。现在拿“4F² 降本”压明年合约价，没有依据。

需求时点。三季报显示，前三季度营收 2690.24 亿元、同比增长 738.51%，第三季度营收 1187.14 亿元、同比增长 613.18%。公司称三季度价格随行业上行，企业级涨幅好于消费级，预计四季度供不应求延续。

导入时点。服务器内存换料不能只比容量与频率，平台兼容性（CPU 与主板内存 QVL）、PMIC/SPD 配置、散热与刷新策略都要重跑。建议分层：消费级料号先试国产替代，企业级维持双源，等验证结果出来再挪份额。辰芯伟业在服务器内存及配套电源、时钟料号上做过双源对照，需要核规格的可拿 BOM 来比对。