PSMN2R3-100SSEJ 100V N沟道MOSFET 2.3mΩ超低导通

NXP 半导体 PSMN2R3-100SSEJ 是一款高性能 100V N 沟道功率 MOSFET，采用 Trench 技术实现超低导通电阻（典型值 2.3mΩ @ VGS=10V）。芯片最大漏极电流 171A，功耗 386W，栅极电荷仅 138nC，优化了开关损耗和导通损耗的平衡。采用 D2PAK（TO-263）封装，具备优异的热性能。广泛应用于 DC-DC 同步整流、电机驱动、ORing 二极管替代、电源管理和逆变器等高效率功率转换场景。

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 功率转换：开关电源、逆变器、功率变换电路
• 电机驱动：电机控制、驱动电路、执行机构

商品特性

• 超低导通电阻2.3mΩ
• 100V耐压，171A大电流
• Trench技术降低开关损耗
• D2PAK封装优异散热
• 低栅极电荷138nC
• 适用于高频开关应用

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