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功率器件

PSMN2R3-100SSEJ 100V N沟道MOSFET 2.3mΩ超低导通

型号:PSMN2R3-100SSEJ 品牌:NXP 封装:D2PAK 发布时间:2026-07-23
NXP半导体PSMN2R3-100SSEJ是一款高性能100VN沟道功率MOSFET,采用Trench技术实现超低导通电阻(典型值2.3mΩ@VGS=10V)。

NXP 半导体 PSMN2R3-100SSEJ 是一款高性能 100V N 沟道功率 MOSFET,采用 Trench 技术实现超低导通电阻(典型值 2.3mΩ @ VGS=10V)。芯片最大漏极电流 171A,功耗 386W,栅极电荷仅 138nC,优化了开关损耗和导通损耗的平衡。采用 D2PAK(TO-263)封装,具备优异的热性能。广泛应用于 DC-DC 同步整流、电机驱动、ORing 二极管替代、电源管理和逆变器等高效率功率转换场景。

核心参数

类型N沟道功率 MOSFET
耐压 (VDS)100V
导通电阻 (RDSon)2.3mΩ @ VGS=10V
最大漏极电流171A
栅极电荷 (Qg)138nC
封装D2PAK (TO-263)
工作温度-55°C ~ +175°C

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 功率转换:开关电源、逆变器、功率变换电路
  • 电机驱动:电机控制、驱动电路、执行机构

相关型号现货

型号品牌分类说明
IPA60R600E6Infineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
BAT54Sonsemi/安森美功率器件同系列在售现货,可替代询价
PESD1CANNexperia/安世功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • 超低导通电阻2.3mΩ
  • 100V耐压,171A大电流
  • Trench技术降低开关损耗
  • D2PAK封装优异散热
  • 低栅极电荷138nC
  • 适用于高频开关应用

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型号品牌分类
IPA60R600E6Infineon/英飞凌功率器件
BAT54Sonsemi/安森美功率器件
PESD1CANNexperia/安世功率器件

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