英飞凌(原 IR)IRF540NPBF 是业界最经典的 100V N 沟道功率 MOSFET 之一,导通电阻典型值 44mΩ @ VGS=10V,最大漏极电流 33A。芯片采用 TO-220AB 封装,功耗 94W,具备优异的开关性能和可靠性。广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源开关、逆变器、负载开关和照明驱动等各类功率电子场景。IRF540N 凭借其成熟的工艺、稳定的质量和极具竞争力的价格,是通用功率开关应用的首选器件。
| 类型 | N沟道功率 MOSFET |
| 耐压 (VDS) | 100V |
| 导通电阻 (RDSon) | 44mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏极电流 | 33A |
| 栅极电荷 (Qg) | 71nC |
| 封装 | TO-220AB |
| 工作温度 | -55°C ~ +175°C |
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| FDB20N50 | onsemi/安森美 | 功率器件 |
| IPB017N10N5 | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| SM712-TP | Littelfuse/力特 | 功率器件 |
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