IPB072N15N3G 英飞凌OptiMOS3 150V大功率MOSFET 工业驱动利器 现货供应

英飞凌（Infineon）IPB072N15N3G 是一款基于OptiMOS 3工艺的N沟道功率MOSFET，额定漏源电压150V，连续漏极电流高达100A（@25°C），导通电阻仅7.2mΩ（@VGS=10V）。该器件采用英飞凌沟槽栅极技术，在低导通电阻和低栅极电荷（Qg=128nC）之间取得最佳平衡，非常适合高频PWM开关应用。TO-263（D2PAK）封装提供优异的散热路径，支持自动化SMT生产。适用于48V-100V工业电机驱动、大功率DC-DC转换器、锂电池保护板和光伏逆变器等场景。7月英飞凌全线功率器件涨价10-25%，辰芯伟业依托海外库存渠道稳定供应，价格优于市场均价。

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 功率转换：开关电源、逆变器、功率变换电路
• 电机驱动：电机控制、驱动电路、执行机构

商品特性

• N沟道OptiMOS 3工艺，VDS=150V，ID=100A，RDS(on)=7.2mΩ
• 极低导通电阻和栅极电荷（Qg=128nC），高频高效
• TO-263（D2PAK）封装，优异散热能力，适合高功率密度设计
• 7月英飞凌功率器件全线涨价10-25%，辰芯伟业海外渠道保障供应
• 适配48V-100V工业电机驱动、DC-DC转换器、电池保护
• 国产替代：新洁能NCEP023N10D、上海芯导科技同类产品

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