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功率器件

IPB072N15N3G 英飞凌OptiMOS3 150V大功率MOSFET 工业驱动利器 现货供应

型号:IPB072N15N3G 品牌:Infineon 英飞凌 封装:TO-263 (D2PAK) 发布时间:2026-07-28
英飞凌(Infineon)IPB072N15N3G是一款基于OptiMOS3工艺的N沟道功率MOSFET,额定漏源电压150V,连续漏极电流高达100A(@25°C),导通电阻仅7.2mΩ(@VGS=10V)。

英飞凌(Infineon)IPB072N15N3G 是一款基于OptiMOS 3工艺的N沟道功率MOSFET,额定漏源电压150V,连续漏极电流高达100A(@25°C),导通电阻仅7.2mΩ(@VGS=10V)。该器件采用英飞凌沟槽栅极技术,在低导通电阻和低栅极电荷(Qg=128nC)之间取得最佳平衡,非常适合高频PWM开关应用。TO-263(D2PAK)封装提供优异的散热路径,支持自动化SMT生产。适用于48V-100V工业电机驱动、大功率DC-DC转换器、锂电池保护板和光伏逆变器等场景。7月英飞凌全线功率器件涨价10-25%,辰芯伟业依托海外库存渠道稳定供应,价格优于市场均价。

核心参数

类型N沟道功率MOSFET(OptiMOS 3)
VDS150V
ID (连续)100A @ 25°C
RDS(on)7.2mΩ @ VGS=10V
Qg (栅极电荷)128nC(典型值)
封装TO-263(D2PAK)
价格趋势7月英飞凌全线涨10-25%,辰芯伟业海外渠道保障

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 功率转换:开关电源、逆变器、功率变换电路
  • 电机驱动:电机控制、驱动电路、执行机构

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型号品牌分类说明
PESD1CANNexperia/安世功率器件同系列在售现货,可替代询价
SMBJ6.0CALittelfuse/力特功率器件同系列在售现货,可替代询价
IRL3705NPBFInfineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • N沟道OptiMOS 3工艺,VDS=150V,ID=100A,RDS(on)=7.2mΩ
  • 极低导通电阻和栅极电荷(Qg=128nC),高频高效
  • TO-263(D2PAK)封装,优异散热能力,适合高功率密度设计
  • 7月英飞凌功率器件全线涨价10-25%,辰芯伟业海外渠道保障供应
  • 适配48V-100V工业电机驱动、DC-DC转换器、电池保护
  • 国产替代:新洁能NCEP023N10D、上海芯导科技同类产品

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型号品牌分类
PESD1CANNexperia/安世功率器件
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