FCH47N60F-F133 是安森美(onsemi)基于SuperFET技术推出的600V N沟道高压功率MOSFET,采用TO-247-3封装,额定连续漏极电流47A,漏源击穿电压600V,导通电阻RDS(on)典型值仅62mΩ。该器件具有超低栅极电荷(Qg典型值210nC)和低有效输出电容,开关速度快、开关损耗低,同时通过100%雪崩击穿测试,具备出色的耐用性和可靠性。广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电机驱动和工业电源等领域。随着2026年人形机器人商业化元年到来,关节伺服驱动、PFC电路和逆变器对高压MOSFET需求快速增长,FCH47N60F-F133成为热门选型之一。辰芯伟业原装现货供应,可配合IGBT方案做全BOM配齐。
| 沟道类型 | N沟道 |
| 漏源击穿电压 V(BR)DSS | 600V |
| 连续漏极电流 ID | 47A(@25℃) |
| 导通电阻 RDS(on) | 62mΩ(典型值)/ 73mΩ(最大值)@ VGS=10V |
| 栅极电荷 Qg | 210nC(典型值) |
| 封装 | TO-247-3 |
| 价格趋势 | 工业MOSFET需求稳定,人形机器人赛道带动交期略有拉长(华强电子网) |
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| DSEI30-06A | Littelfuse/IXYS | 功率器件 |
| IRS2184SPBF | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| IKW75N65EH7 | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
扫码加微信
微信扫一扫,快速询价