HBM4E 12H 48GB SK海力士下一代AI高带宽内存 样品交付中

SK海力士于2026年6月18日正式宣布向主要客户交付12层堆叠HBM4E（高带宽内存）样品，标志着下一代AI存储器进入量产前验证阶段。HBM4E单堆栈采用12层DRAM die堆叠，每层为32Gb 1c nm工艺，实现48GB容量；单引脚速率最高可达16Gbps，单堆栈带宽高达4TB/s，较前代HBM4提升约38%，能效提升超过20%。该产品采用Advanced MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）封装工艺，在同等厚度下实现更高容量，并将热阻降低17%，确保AI数据中心和高性能计算环境的稳定运行。HBM4E主要面向英伟达、AMD等下一代AI GPU平台，是支撑大模型训练与推理的关键存储器件。当前HBM市场由SK海力士、三星、美光三家主导，2027年HBM4E价格预计从2026年下半年的约2美元/Gb涨至4~5美元/Gb，供不应求格局将延续。

核心参数

应用场景

• 边缘智能：端侧推理、智能识别、实时决策
• 数据存储：程序代码存储、数据记录、固件承载
• 工业存储：工控设备、监控设备、工业终端存储

商品特性

• 12层堆叠48GB大容量，单卡可承载更大模型参数。
• 16Gbps引脚速率和4TB/s带宽，刷新HBM性能纪录。
• Advanced MR-MUF封装降低热阻17%，提升系统稳定性。
• 能效提升20%+，降低AI数据中心PUE和运营成本。
• HBM4E样品已交付，量产在即；辰芯伟业可协助客户做早期方案评估与供货规划。

商品特性

• 12层堆叠，单堆栈容量48GB，带宽高达4TB/s
• 单引脚速率最高16Gbps，能效较前代提升20%以上
• 采用Advanced MR-MUF封装，热阻降低17%
• 面向下一代AI GPU和数据中心训练/推理平台
• HBM4E样品已向英伟达、AMD等主要客户交付
• 2027年HBM产能预计持续紧缺，价格看涨

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