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存储芯片

HBM4E 12H 48GB SK海力士下一代AI高带宽内存 样品交付中

型号:HBM4E 12H 48GB 品牌:SK hynix / Samsung 海力士/三星 封装:2.5D/3D堆叠封装 发布时间:2026-07-29
SK海力士于2026年6月18日正式宣布向主要客户交付12层堆叠HBM4E(高带宽内存)样品,标志着下一代AI存储器进入量产前验证阶段。

SK海力士于2026年6月18日正式宣布向主要客户交付12层堆叠HBM4E(高带宽内存)样品,标志着下一代AI存储器进入量产前验证阶段。HBM4E单堆栈采用12层DRAM die堆叠,每层为32Gb 1c nm工艺,实现48GB容量;单引脚速率最高可达16Gbps,单堆栈带宽高达4TB/s,较前代HBM4提升约38%,能效提升超过20%。该产品采用Advanced MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)封装工艺,在同等厚度下实现更高容量,并将热阻降低17%,确保AI数据中心和高性能计算环境的稳定运行。HBM4E主要面向英伟达、AMD等下一代AI GPU平台,是支撑大模型训练与推理的关键存储器件。当前HBM市场由SK海力士、三星、美光三家主导,2027年HBM4E价格预计从2026年下半年的约2美元/Gb涨至4~5美元/Gb,供不应求格局将延续。

核心参数

堆叠架构12层堆叠(12Hi)
单堆栈容量48GB
单引脚速率最高16Gbps
单堆栈带宽4TB/s
封装工艺Advanced MR-MUF 2.5D/3D堆叠
能效提升较前代提升20%以上
价格趋势2027年HBM4E价格预计翻倍,产能被云厂商长约锁定(SK海力士官方新闻)

应用场景

  • 边缘智能:端侧推理、智能识别、实时决策
  • 数据存储:程序代码存储、数据记录、固件承载
  • 工业存储:工控设备、监控设备、工业终端存储

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型号品牌分类说明
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商品特性

  • 12层堆叠48GB大容量,单卡可承载更大模型参数。
  • 16Gbps引脚速率和4TB/s带宽,刷新HBM性能纪录。
  • Advanced MR-MUF封装降低热阻17%,提升系统稳定性。
  • 能效提升20%+,降低AI数据中心PUE和运营成本。
  • HBM4E样品已交付,量产在即;辰芯伟业可协助客户做早期方案评估与供货规划。

商品特性

  • 12层堆叠,单堆栈容量48GB,带宽高达4TB/s
  • 单引脚速率最高16Gbps,能效较前代提升20%以上
  • 采用Advanced MR-MUF封装,热阻降低17%
  • 面向下一代AI GPU和数据中心训练/推理平台
  • HBM4E样品已向英伟达、AMD等主要客户交付
  • 2027年HBM产能预计持续紧缺,价格看涨

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型号品牌分类
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