IRF640NPBF 200V 18A N沟道功率MOSFET 工业电源与电机驱动专用 现货供应

商品概述

IRF640NPBF是英飞凌（原国际整流器IR）推出的N沟道增强型功率MOSFET，漏源耐压200V、连续漏极电流18A（25°C），导通电阻典型值0.15Ω，采用经典的TO-220封装，是工业电源和电机驱动领域的「常青树」型号。该芯片基于英飞凌第五代HEXFET技术，栅极电荷仅43nC，开关速度快，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等场景。2026年8月华强电子网商城将IRF640N系列列入热搜现货榜单，印证了其在存量市场和维修替换市场中的巨大装机基础。据芯查查2026H1数据分析，成熟硅功率器件仍是工程端使用最频繁的品类，AI产能挤占成熟制程可能进一步推高功率器件价格。

核心参数

应用场景

• 电源设计：电源适配器、工业电源、终端供电
• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 无线通信：无线模块、基站设备、物联网终端

商品特性

• N沟道增强型功率MOSFET，漏源耐压200V，连续漏极电流18A
• 导通电阻RDS(on)典型值0.15Ω，低导通损耗
• 栅极电荷Qg典型值43nC，开关速度快
• TO-220标准封装，散热性能优异，便于安装散热器
• 100%雪崩测试，工业级可靠性和鲁棒性
• 华强电子网商城热搜现货，工业电源和电机驱动领域经典料号
• 当前功率器件市场受AI产能挤占成熟制程影响，英飞凌产品价格存在上行压力
• 辰芯伟业海外库存渠道保障，可提供原装正品现货

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