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功率器件

IRF640NPBF 200V 18A N沟道功率MOSFET 工业电源与电机驱动专用 现货供应

型号:IRF640NPBF 品牌:Infineon/英飞凌 封装:TO-220 发布时间:2026-08-03
IRF640NPBF是英飞凌(原国际整流器IR)推出的N沟道增强型功率MOSFET,漏源耐压200V、连续漏极电流18A(25°C),导通电阻典型值0.15Ω,采用经典的TO-220封装,是工业电源和电机驱动领域的「常青树」型号。

商品概述

IRF640NPBF是英飞凌(原国际整流器IR)推出的N沟道增强型功率MOSFET,漏源耐压200V、连续漏极电流18A(25°C),导通电阻典型值0.15Ω,采用经典的TO-220封装,是工业电源和电机驱动领域的「常青树」型号。该芯片基于英飞凌第五代HEXFET技术,栅极电荷仅43nC,开关速度快,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等场景。2026年8月华强电子网商城将IRF640N系列列入热搜现货榜单,印证了其在存量市场和维修替换市场中的巨大装机基础。据芯查查2026H1数据分析,成熟硅功率器件仍是工程端使用最频繁的品类,AI产能挤占成熟制程可能进一步推高功率器件价格。

核心参数

项目参数
类型N沟道增强型 MOSFET
漏源电压 (VDSS)200 V
连续漏极电流 (ID @25°C)18 A
导通电阻 RDS(on)典型 0.15 Ω
栅极电荷 Qg典型 43 nC
栅极阈值电压 VGS(th)2.0V ~ 4.0V
总功耗 PD150 W
封装TO-220
工作温度-55°C ~ +175°C
价格趋势工业级功率器件需求旺盛,成熟制程供给受AI挤占(数据来源:芯查查 2026H1),现货价格需询价

应用场景

  • 电源设计:电源适配器、工业电源、终端供电
  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 无线通信:无线模块、基站设备、物联网终端

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型号品牌分类说明
IKW40N60H3Infineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
IPA60R600E6Infineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
BAT54Sonsemi/安森美功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • N沟道增强型功率MOSFET,漏源耐压200V,连续漏极电流18A
  • 导通电阻RDS(on)典型值0.15Ω,低导通损耗
  • 栅极电荷Qg典型值43nC,开关速度快
  • TO-220标准封装,散热性能优异,便于安装散热器
  • 100%雪崩测试,工业级可靠性和鲁棒性
  • 华强电子网商城热搜现货,工业电源和电机驱动领域经典料号
  • 当前功率器件市场受AI产能挤占成熟制程影响,英飞凌产品价格存在上行压力
  • 辰芯伟业海外库存渠道保障,可提供原装正品现货

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