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功率器件

IRFH5003TR2PBF 30V 1.3mΩ MaxFET MOSFET 现货供应

型号:IRFH5003TR2PBF 品牌:Infineon/IR 封装:PQFN-8x8 发布时间:2026-09-21
IRFH5003TR2PBF是Infineon/IR推出的IRMaxFET超低阻MOSFET,PQFN-8x8封装,30V/200A/1.3mΩ,并联均流友好,采用PQFN-8x8封装。

商品概述

IRFH5003TR2PBF是Infineon/IR推出的IR MaxFET超低阻MOSFET,PQFN-8x8封装,30V/200A/1.3mΩ,并联均流友好,采用PQFN-8x8封装。该芯片耐压30V,连续电流200A,导通电阻1.3mΩ@10V,具备低开关损耗、高可靠性和优异热性能,广泛应用于电机驱动、电源开关、逆变器、电池保护和汽车电子。随着工业电机和新能源市场需求回暖,IRFH5003TR2PBF等中低压/高压功率器件现货流通活跃,国产替代方案逐步成熟。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,IRFH5003TR2PBF全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

项目参数
类型N沟道MOSFET
耐压VDS/VCE30V
连续电流200A
导通电阻/压降1.3mΩ@10V
封装PQFN-8x8
栅极电荷90nC
工作温度-55℃~+150℃
驱动电压10V
价格趋势2026年9月储能PCS用大电流MOS需求增长(来源:华强电子网 2026.09)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 无线通信:无线模块、基站设备、物联网终端
  • 功率转换:开关电源、逆变器、功率变换电路

商品特性

  • 30V耐压,200A电流能力
  • 1.3mΩ@10V低导通损耗
  • PQFN-8x8封装散热良好
  • 10V驱动,应用灵活
  • 国产替代方案可选
  • 2026年9月工业/汽车功率器件需求稳定

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

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