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存储芯片

MT61K512M32KPA-16:C 16GB DDR5内存颗粒 现货供应

型号:MT61K512M32KPA-16:C 品牌:Micron 封装:FBGA-200 发布时间:2026-08-06
MT61K512M32KPA-16:C是美光(Micron)推出的16GbDDR5SDRAM内存颗粒,采用先进的1α工艺制造,单颗提供32位数据宽度和高达4800Mbps的数据传输速率。

商品概述

MT61K512M32KPA-16:C是美光(Micron)推出的16Gb DDR5 SDRAM内存颗粒,采用先进的1α工艺制造,单颗提供32位数据宽度和高达4800Mbps的数据传输速率。DDR5相比DDR4实现了显著的性能飞跃:工作电压从1.2V降至1.1V,功耗降低约20%;引入片上ECC(ODECC)和双32位子通道架构,大幅提升数据可靠性和访问效率。该器件符合JEDEC DDR5标准,兼容Intel Sapphire Rapids、AMD EPYC Genoa等主流服务器平台。当前AI服务器建设热潮拉动DDR5需求爆发式增长,TrendForce预计2025年Q4一般型DRAM价格环比增8%-13%,含HBM的整体DRAM价格环比增13%-18%,存储市场量价齐升态势明确。

核心参数

项目参数
容量16Gb(单颗2GB)
数据位宽x32
数据速率4800Mbps
工作电压VDD/VDDQ = 1.1V
架构双32位子通道,BL=16
纠错功能片上ECC(ODECC)
封装FBGA-200
价格趋势AI服务器需求拉动DDR5量价齐升,TrendForce预计Q4整体DRAM价格环增13%-18%(数据来源:TrendForce/IC交易网,2026年8月)

应用场景

  • 数据存储:程序存储、数据记录、固件承载
  • 工业存储:工控设备、监控设备、工业终端存储

相关型号现货

型号品牌分类说明
MTA18ASF4G72PDZ-3G2F1Micron/美光存储芯片同系列在售现货,可替代询价
HMCG78MEBRA113NSK hynix/海力士存储芯片同系列在售现货,可替代询价
H5TQ4G83AFR-PBCSamsung/三星存储芯片同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • 单颗16Gb容量,32位数据总线,速率高达4800Mbps
  • 1.1V低工作电压,相比DDR4降低约20%功耗
  • 支持片上ECC(ODECC),提升数据可靠性
  • 符合JEDEC DDR5标准,兼容主流服务器平台
  • AI服务器需求拉动DDR5量价齐升,TrendForce预计Q4 DRAM价格环增13%-18%

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型号品牌分类
MTA18ASF4G72PDZ-3G2F1Micron/美光存储芯片
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