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电源管理IC

INN650DA260A 650V GaN HEMT 现货供应

型号:INN650DA260A 品牌:InnoScience/英诺赛科 封装:DFN8×8 发布时间:2026-09-22
INN650DA260A是InnoScience/英诺赛科推出的INN650DA260A,650V增强型GaNHEMT,DFN8×8底部散热封装,快充适配器、LED驱动、数据中心电源国产GaN主力出货型号,采用DFN8×8封装。

商品概述

INN650DA260A是InnoScience/英诺赛科推出的INN650DA260A,650V增强型GaN HEMT,DFN8×8底部散热封装,快充适配器、LED驱动、数据中心电源国产GaN主力出货型号,采用DFN8×8封装。该芯片,广泛应用于氮化镓快充、无线充电、USB PD协议、移动电源和小家电电源。当前消费电子市场回暖,GaN快充和USB PD需求增长,国产快充方案出货放量,INN650DA260A凭借高集成度和高效率成为电源设计的热门方案。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,INN650DA260A全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

项目参数
类型GaN HEMT分立
输入电压650V耐压
输出规格-
开关频率MHz级高频
效率低开关损耗
封装DFN8×8
协议支持-
工作温度-40℃~+150℃
价格趋势2026年9月国产GaN产能爬坡,英诺赛科数据中心800V方案进入头部客户(来源:行业新闻 2026.09)

应用场景

  • 电源设计:开关电源、适配器、终端供电电路
  • 工业电源:工业设备供电、电源模块、配电系统

商品特性

  • GaN HEMT分立,-输出能力
  • MHz级高频高频,效率低开关损耗
  • -协议支持
  • DFN8×8封装适合高密度电源
  • 国产替代方案可选
  • 2026年9月快充市场回暖,现货需求增长

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

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