INN650DA260A是InnoScience/英诺赛科推出的INN650DA260A,650V增强型GaN HEMT,DFN8×8底部散热封装,快充适配器、LED驱动、数据中心电源国产GaN主力出货型号,采用DFN8×8封装。该芯片,广泛应用于氮化镓快充、无线充电、USB PD协议、移动电源和小家电电源。当前消费电子市场回暖,GaN快充和USB PD需求增长,国产快充方案出货放量,INN650DA260A凭借高集成度和高效率成为电源设计的热门方案。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,INN650DA260A全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | GaN HEMT分立 |
| 输入电压 | 650V耐压 |
| 输出规格 | - |
| 开关频率 | MHz级高频 |
| 效率 | 低开关损耗 |
| 封装 | DFN8×8 |
| 协议支持 | - |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 价格趋势 | 2026年9月国产GaN产能爬坡,英诺赛科数据中心800V方案进入头部客户(来源:行业新闻 2026.09) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| FQA28N50 | onsemi/安森美(原Fairchild) | 电源管理IC |
| BQ25895RTBT | Texas Instruments | 电源管理IC |
| NV6125 | Navitas/纳微半导体 | 电源管理IC |
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