GS66516T是GaN Systems推出的业界知名GaN功率管,650V/16mΩ,无反向恢复损耗,开关频率可达MHz级,适配高密度服务器电源与充电桩模块,采用GaNPX-8封装。该芯片耐压650V,连续电流60A(脉冲),导通电阻16mΩ,具备低开关损耗、高可靠性和优异热性能,广泛应用于电机驱动、电源开关、逆变器、电池保护和汽车电子。当前AI数据中心800V供电架构与新能源车需求叠加,功率器件交期持续偏长,碳化硅现货周涨6.78%,GS66516T等中低压/高压功率器件现货流通活跃,国产替代方案逐步成熟。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,GS66516T全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | 增强型GaN HEMT |
| 耐压VDS/VCE | 650V |
| 连续电流 | 60A(脉冲) |
| 导通电阻/压降 | 16mΩ |
| 封装 | GaNPX-8 |
| 栅极电荷 | 9.4nC(典型) |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 驱动电压 | 6V(VGS推荐) |
| 价格趋势 | 2026年9月AI服务器电源功率密度要求推升GaN需求,现货紧俏(来源:行业新闻 2026.09.23) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| STL130N8LF7AG | ST/意法半导体 | 功率器件 |
| STF55N60DM6 | ST/意法半导体 | 功率器件 |
| BSC110N10NS3G | Infineon | 功率器件 |
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