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存储芯片

TH58NYG3S0HBAI6 64Gbit 3D TLC NAND 现货供应

型号:TH58NYG3S0HBAI6 品牌:KIOXIA/铠侠 封装:BGA-132 发布时间:2026-09-23
TH58NYG3S0HBAI6是KIOXIA/铠侠推出的铠侠64GbitTLCNAND,BiCS3D工艺,Toggle2.0高速接口,企业级SSD与工业存储常用,NAND涨价周期主力料号,采用BGA-132封装。

商品概述

TH58NYG3S0HBAI6是KIOXIA/铠侠推出的铠侠64Gbit TLC NAND,BiCS 3D工艺,Toggle 2.0高速接口,企业级SSD与工业存储常用,NAND涨价周期主力料号,采用BGA-132封装。该芯片容量64Gbit(8GB),接口ONFI/Toggle 2.0并行,广泛应用于AI服务器、智算中心、高端消费电子和工业存储。当前存储市场受AI需求拉动全面涨价:长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台量产、三星将DDR5/SSD新增产能外包并全力押注HBM,TrendForce预计四季度存储涨幅15%-20%且涨势延续至2027年末,摩根士丹利预测DDR4三季度上涨50%,TH58NYG3S0HBAI6作为热门型号现货紧俏,建议提前锁货。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,TH58NYG3S0HBAI6全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

项目参数
类型3D NAND Flash(TLC)
容量64Gbit(8GB)
接口ONFI/Toggle 2.0并行
速率Toggle 2.0 400MT/s
封装BGA-132
工作电压2.7V ~ 3.6V
工作温度-40℃~+85℃
应用场景SSD/嵌入式存储/工业存储
价格趋势2026年9月NAND合约价Q4预计涨15-20%(来源:TrendForce/CFM 2026.09.23),长江存储IPO推进+扩产加速,国产供应同步放量

应用场景

  • 电池供电与便携设备:智能表计、可穿戴、便携医疗等长续航场景
  • 数据存储:程序存储、数据记录、固件承载
  • 边缘智能:端侧推理、智能识别、实时决策

商品特性

  • 64Gbit(8GB)大容量,Toggle 2.0 400MT/s高速率
  • ONFI/Toggle 2.0并行接口,BGA-132封装
  • 2.7V ~ 3.6V工作电压
  • 工业级温度范围
  • 国产替代方案逐步成熟(长鑫五代DRAM已量产)
  • 2026年9月存储Q4预计涨15-20%/DDR4涨50%(来源:TrendForce/摩根士丹利 2026.09),建议锁货

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