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汽车电子

SCT3060KRHR 650V SiC MOSFET 现货供应

型号:SCT3060KRHR 品牌:ROHM 封装:TO-247-4 发布时间:2026-09-23
SCT3060KRHR是ROHM推出的第四代SiCMOSFET,650V/40mΩ,四脚开尔文源极降低开关损耗,适配车载OBC、光伏逆变与工业电源,SiC涨价周期热门料号,采用TO-247-4(开尔文源极)封装。

商品概述

SCT3060KRHR是ROHM推出的第四代SiC MOSFET,650V/40mΩ,四脚开尔文源极降低开关损耗,适配车载OBC、光伏逆变与工业电源,SiC涨价周期热门料号,采用TO-247-4(开尔文源极)封装。该芯片,符合AEC-Q100/Q101车规标准,广泛应用于新能源汽车BMS、电驱、车身电子、车载充电和ADAS系统。当前汽车芯片供需持续紧张,车规功率器件交付周期拉长至30周以上、SiC主驱模块突破40周,800V平台SiC渗透加速、AI数据中心亦开始采用800V高压直流供电,碳化硅现货周涨6.78%,国产车规替代提速,SCT3060KRHR作为车规级器件现货渠道稳定。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,SCT3060KRHR全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

项目参数
类型SiC MOSFET
工作电压650V
工作电流/功率40A(100℃壳温)
封装TO-247-4(开尔文源极)
车规认证AEC-Q101(SCT3060K系列)
工作温度-40℃~+175℃
接口栅极驱动接口(需配套驱动)
保护功能依赖驱动板保护(VGS钳位)
价格趋势2026年9月SiC主驱模块交期突破40周(来源:汽车芯片产业生态大会 2026.09.20),碳化硅现货周涨6.78%(新浪财经 2026.09.22)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 汽车电子:车身控制、车载诊断、车载娱乐

商品特性

  • 650V耐压,40A电流能力
  • 40mΩ低导通损耗,第四代SiC工艺
  • TO-247-4封装散热良好,开尔文源极降低损耗
  • +18V/0V推荐VGS驱动
  • 国产SiC方案可选(基本半导体等)
  • 2026年9月SiC主驱模块交期40周+,现货紧俏

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

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