BSC028N06NS3G是Infineon推出的100VN沟道MOSFET,采用PQFN-8封装。该芯片耐压100V,连续电流40A,导通电阻11mΩ,具备低开关损耗、高可靠性和优异热性能,广泛应用于电机驱动、电源开关、逆变器、电池保护和汽车电子。当前AI数据中心800V供电架构与新能源车需求叠加,功率器件交期持续偏长,碳化硅现货周涨6.78%,BSC028N06NS3G等中低压/高压功率器件现货流通活跃,国产替代方案逐步成熟。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,BSC028N06NS3G全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | N沟道MOSFET |
| 耐压VDS/VCE | 100V |
| 连续电流 | 40A |
| 导通电阻/压降 | 11mΩ |
| 封装 | PQFN-8 |
| 栅极电荷 | 18nC |
| 工作温度 | -55~175°C |
| 驱动电压 | ±20V |
| 价格趋势 | 2026年9月功率器件市场行情平稳,现货供应充足(来源:华强电子网/IC交易网 2026.09) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| STB40NF10LT4 | ST/意法半导体 | 功率器件 |
| IPP60R190C6 | Infineon | 功率器件 |
| TPD4E001DBVR | Texas Instruments | 功率器件 |
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