FQA11N90C 功率MOSFET/IGBT 现货供应

商品概述

FQA11N90C是ON/安森美推出的900V N沟道MOSFET，采用TO-3P封装。该芯片耐压900V，连续电流11A，导通电阻约1Ω，具备低开关损耗、高可靠性和优异热性能，广泛应用于电机驱动、电源开关、逆变器、电池保护和汽车电子。当前AI数据中心800V供电架构与新能源车需求叠加，功率器件交期持续偏长，安森美宣布10月10日起对广泛产品系列涨价、台系功率厂Q4预计跟涨10%-15%，碳化硅现货周涨6.78%，FQA11N90C等中低压/高压功率器件现货流通活跃，国产替代方案逐步成熟。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商，590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供，FQA11N90C全系列封装齐全，可承接中小批量订单与大单锁货需求，支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件，部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 功率转换：开关电源、逆变器、功率变换电路
• 电机驱动：电机控制、驱动电路、执行机构

商品特性

• 900V耐压，11A电流能力
• 约1Ω低导通损耗
• TO-3P封装散热良好
• ±20V驱动，应用灵活
• 国产替代方案可选
• 2026年9月安森美10.10起涨价、台系功率Q4跟涨10-15%，交期仍偏长（来源：涨价函/证券时报 2026.09）

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