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功率器件

C3M0065090D Wolfspeed 650V 35mΩ SiC MOSFET

型号:C3M0065090D 品牌:Wolfspeed 封装:TO-263-7 (D2PAK-7L) 发布时间:2026-08-19
WolfspeedC3M0065090D是一款650V/35mΩ碳化硅(SiC)MOSFET,采用第三代SiC平面栅技术,TO-263-7(D2PAK-7L)开尔文源极封装。

商品概述

Wolfspeed C3M0065090D 是一款650V/35mΩ碳化硅(SiC)MOSFET,采用第三代SiC平面栅技术,TO-263-7(D2PAK-7L)开尔文源极封装。相比传统硅MOSFET/IGBT,其开关损耗显著降低、耐高温性能更好,适用于电动汽车OBC、DC-DC、光伏逆变器、储能变流器、服务器电源等高频高效应用。当前SiC/GaN器件在EV与AI数据中心需求爆发,国产替代进程加速。

核心参数

项目参数
类型N沟道SiC MOSFET
漏源耐压650V
导通电阻35mΩ @ VGS=15V
连续漏极电流56A @ 25°C
栅极阈值电压2.5V ~ 4.5V
封装TO-263-7 (D2PAK-7L)
工作温度-55°C ~ 175°C
价格趋势参考价¥45-75/颗,SiC器件供应紧张(行业新闻 2026-08-19)

应用场景

- EV车载充电机:OBC PFC与DC-DC级功率开关
- 光伏逆变器:高频DC-AC转换,提升发电效率
- AI服务器电源:钛金级PSU主开关,提升功率密度

相关型号现货

型号品牌分类说明
PESD1CANNexperia/安世功率器件同系列在售现货,可替代询价
SMBJ6.0CALittelfuse/力特功率器件同系列在售现货,可替代询价
IRL3705NPBFInfineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

- 650V耐压,导通电阻35mΩ,第三代SiC MOSFET技术
- 极低开关损耗,适合高频高效功率转换
- TO-263-7开尔文源极封装,降低驱动回路电感
- CMTI>100V/ns,抗干扰能力强
- 适用于EV车载充电机、光伏逆变器、储能PCS
- 国产替代:基本半导体B3M040065Z、士兰微SGTMOS65T可评估
- SiC/GaN功率器件在EV与AI数据中心需求爆发,Wolfspeed及国产厂商扩产积极(行业新闻 2026-08-19)

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型号品牌分类
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