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Wolfspeed C3M0065090D 是一款650V/35mΩ碳化硅（SiC）MOSFET，采用第三代SiC平面栅技术，TO-263-7（D2PAK-7L）开尔文源极封装。相比传统硅MOSFET/IGBT，其开关损耗显著降低、耐高温性能更好，适用于电动汽车OBC、DC-DC、光伏逆变器、储能变流器、服务器电源等高频高效应用。当前SiC/GaN器件在EV与AI数据中心需求爆发，国产替代进程加速。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | N沟道SiC MOSFET |
| 漏源耐压 | 650V |
| 导通电阻 | 35mΩ @ VGS=15V |
| 连续漏极电流 | 56A @ 25°C |
| 栅极阈值电压 | 2.5V ~ 4.5V |
| 封装 | TO-263-7 (D2PAK-7L) |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 价格趋势 | 参考价¥45-75/颗，SiC器件供应紧张（行业新闻 2026-08-19） |
- EV车载充电机：OBC PFC与DC-DC级功率开关
- 光伏逆变器：高频DC-AC转换，提升发电效率
- AI服务器电源：钛金级PSU主开关，提升功率密度
- 650V耐压，导通电阻35mΩ，第三代SiC MOSFET技术
- 极低开关损耗，适合高频高效功率转换
- TO-263-7开尔文源极封装，降低驱动回路电感
- CMTI>100V/ns，抗干扰能力强
- 适用于EV车载充电机、光伏逆变器、储能PCS
- 国产替代：基本半导体B3M040065Z、士兰微SGTMOS65T可评估
- SiC/GaN功率器件在EV与AI数据中心需求爆发，Wolfspeed及国产厂商扩产积极（行业新闻 2026-08-19）
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IRS2184SPBF | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| IKW75N65EH7 | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| C3M0075120D | Wolfspeed/科锐 | 功率器件 |
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