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存储芯片

H9HCNNN8RMLPR-NNE LPDDR5 16Gb移动内存现货 现货供应

型号:H9HCNNN8RMLPR-NNE 品牌:SK hynix 封装:FBGA-200 发布时间:2026-10-07
H9HCNNN8RMLPR-NNE是SK海力士LPDDR516Gb(2GB)内存颗粒,512Mx32组织,速率LPDDR5-5500(可上6400),VDDQ0.5V超低电压,FBGA-200封装。

商品概述

H9HCNNN8RMLPR-NNE是SK海力士LPDDR5 16Gb(2GB)内存颗粒,512Mx32组织,速率LPDDR5-5500(可上6400),VDDQ 0.5V超低电压,FBGA-200封装。用于旗舰手机、平板、车载智能座舱与AI边缘设备。SK海力士Q2 DRAM ASP环比+30%、NAND +50-55%,LPDDR5产能向AI边缘倾斜后消费级配额紧张。特斯拉为保Optimus量产甚至下调AI5芯片存储规格,凸显高端LPDDR紧张。辰芯伟业备有现货,消费与车载客户锁量优先。

核心参数

项目参数
型号H9HCNNN8RMLPR-NNE
品牌SK hynix
类型存储芯片
封装FBGA-200
容量16Gb(2GB),512Mx32
速率LPDDR5-5500Mbps
电压VDDQ 0.5V
封装FBGA-200
特性Deep Sleep省电模式
应用旗舰手机、车载座舱、AI边缘
价格趋势海力士Q2 DRAM ASP+30%、LPDDR5配额紧张(来源:SK海力士财报/媒体2026-10),现货价上行20%

应用场景

  • 数据存储:程序存储、数据记录、固件承载
  • 工业存储:工控设备、监控设备、工业终端存储

商品特性

  • SK hynix原厂渠道现货,原包装整批
  • 5500Mbps+0.5V,性能功耗双优
  • 消费/车载客户锁量优先,支持分段交货
  • SK海力士Q2 DRAM ASP+30%(来源:SK海力士财报2026-07),LPDDR5现货紧张,特斯拉砍AI5存储规格保Optimus(来源:媒体2026-10-03)

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