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存储芯片

H9HCNNB8KUMLHR-NEE SK海力士8GB LPDDR5现货 现货供应

型号:H9HCNNB8KUMLHR-NEE 品牌:SK hynix 封装:FBGA-200 发布时间:2026-10-09
H9HCNNB8KUMLHR-NEE是SK海力士8Gb(1GB)LPDDR5SDRAM颗粒,16bit位宽,最高6400Mbps引脚速率,FBGA-200封装,1.05V低电压配合深度睡眠模式,是旗舰手机与车载智能座舱的标准内存方案。

商品概述

H9HCNNB8KUMLHR-NEE是SK海力士8Gb(1GB)LPDDR5 SDRAM颗粒,16bit位宽,最高6400Mbps引脚速率,FBGA-200封装,1.05V低电压配合深度睡眠模式,是旗舰手机与车载智能座舱的标准内存方案。存储涨价正在重塑手机成本结构,余承东披露华为单台手机存储成本额外增加超200美元,LPDDR5作为手机内存主力规格现货价格持续上行,渠道惜售明显。该颗粒同时大量进入车载域控制器与边缘AI盒子。辰芯伟业现货供应,支持锁价。

核心参数

项目参数
型号H9HCNNB8KUMLHR-NEE
品牌SK hynix
类型存储涨价
封装FBGA-200
类型LPDDR5 SDRAM颗粒
容量8Gb(1GB)
位宽16bit
速率最高6400Mbps
电压1.05V
封装FBGA-200
价格趋势手机存储成本压力传导,LPDDR5现货持续上行,手机与座舱项目建议锁价(来源:21世纪经济报道2026-10-09)

应用场景

  • 数据存储:程序存储、数据记录、固件承载
  • 工业存储:工控设备、监控设备、工业终端存储

商品特性

  • SK海力士授权渠道现货,原包装整盘,支持COC
  • 6400Mbps旗舰速率档,手机与座舱双市场刚需
  • 现货库存有限,大单建议锁价与分批交货
  • 存储涨价重塑手机成本结构,华为单台成本增加超200美元,2026年超40%手机机型涨价,LPDDR5现货持续上行(来源:21世纪经济报道2026-10-09)

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