NSD2123 110V半桥GaN驱动IC 现货供应

商品概述

NSD2123是纳芯微2026慕尼黑上海电子展发布的110V半桥GaN驱动IC，专为增强型E-mode GaN HEMT优化。集成智能自举充电控制、Split Output驱动架构和有源米勒钳位，解决半桥拓扑中动态栅极过压、桥臂中点负压和高dv/dt干扰等GaN驱动痛点。适配服务器PSU及二级电源，填补国产GaN驱动IC空白。

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 功率转换：开关电源、逆变器、功率变换电路
• 电机驱动：电机控制、驱动电路、执行机构

商品特性

• 110V半桥GaN驱动专为E-mode GaN优化
• 智能自举充电+Split Output驱动架构
• 内置有源米勒钳位解决动态栅极过压
• 2026慕展纳芯微新品填补国产空白
• 适配服务器PSU及二级电源
• 辰芯伟业现货供应

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