SQJ431EP-T1_GE3 30V 100A低压MOSFET 现货供应

SQJ431EP-T1_GE3是Vishay 30V 100A级P沟道补充用N沟道MOSFET（N+P双管封装之一），导阻4mΩ级别，POWERPAK 1212-8小封装承载大电流，热阻低至1.1°C/W。BMS保护板与DC-DC背板类低压大电流场景用量集中，安森美/Vishay低压档随涨价潮走强。

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 电子设备：通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

• 30V档100A级脉冲电流，BMS与电池包开关场景主力
• 4mΩ级导阻，大电流下导通损耗与温升可控
• 3.3×3.3mm封装承载百安级电流，功率密度突出
• Vishay原厂品质一致性好，工业批次稳定
• 安森美10-10涨价5-15%生效后，同档国产与Vishay料询盘同步升温

如有需求，请联系：13423736244 13603072128 QQ：517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

• 30V档100A级脉冲电流，BMS与电池包开关场景主力
• 4mΩ级导阻，大电流下导通损耗与温升可控
• 3.3×3.3mm封装承载百安级电流，功率密度突出
• Vishay原厂品质一致性好，工业批次稳定
• 安森美10-10涨价5-15%生效后，同档国产与Vishay料询盘同步升温

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