IMZA65R048M1H是英飞凌650V CoolSiC碳化硅MOSFET,导阻48mΩ,TO-247-3封装,开关损耗比同档超结硅管低四成以上,支持更高开关频率减小磁性元件体积。充电桩模块与光伏逆变高压桥臂需求旺盛,英飞凌年内两轮涨价覆盖SiC产品线,现货价格坚挺。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压/导阻 | 650V / 48mΩ |
| 技术 | CoolSiC碳化硅MOSFET |
| 开关损耗 | 比同档硅管低四成以上 |
| 驱动 | Vgs推荐+15V/-3V |
| 封装 | TO-247-3 |
| 应用 | 充电桩、光伏逆变、高压电源 |
| 价格趋势 | 英飞凌年内两轮涨价(7月轮AI电源与车规+10-20%)覆盖SiC线,现货价格坚挺(来源:英飞凌调价通知,2026-10-12) |
如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IMZA65R072M1H | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| IMZA65R048M1HXTMA1 | Infineon | 功率器件 |
| IMZA65R045M1H | Infineon/英飞凌 | 汽车电子 |
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