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功率

IMZA65R048M1H 650V SiC CoolSiC开关管 现货供应

型号:IMZA65R048M1H 品牌:英飞凌 封装:TO-247-3 发布时间:2026-10-12
IMZA65R048M1H是英飞凌650VCoolSiC碳化硅MOSFET,导阻48mΩ,TO-247-3封装,开关损耗比同档超结硅管低四成以上,支持更高开关频率减小磁性元件体积。

IMZA65R048M1H是英飞凌650V CoolSiC碳化硅MOSFET,导阻48mΩ,TO-247-3封装,开关损耗比同档超结硅管低四成以上,支持更高开关频率减小磁性元件体积。充电桩模块与光伏逆变高压桥臂需求旺盛,英飞凌年内两轮涨价覆盖SiC产品线,现货价格坚挺。

核心参数

项目参数
耐压/导阻650V / 48mΩ
技术CoolSiC碳化硅MOSFET
开关损耗比同档硅管低四成以上
驱动Vgs推荐+15V/-3V
封装TO-247-3
应用充电桩、光伏逆变、高压电源
价格趋势英飞凌年内两轮涨价(7月轮AI电源与车规+10-20%)覆盖SiC线,现货价格坚挺(来源:英飞凌调价通知,2026-10-12)

应用场景

  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 650V SiC开关损耗优势明显,高频化显著提升功率密度
  • 48mΩ导阻满足30kW级模块桥臂需求
  • TO-247-3经典封装,驱动与散热设计资源丰富
  • 英飞凌年内两轮涨价覆盖SiC,价格坚挺建议按项目锁单
  • 充电桩与光伏放量,SiC现货持续紧俏

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 650V SiC开关损耗优势明显,高频化显著提升功率密度
  • 48mΩ导阻满足30kW级模块桥臂需求
  • TO-247-3经典封装,驱动与散热设计资源丰富
  • 英飞凌年内两轮涨价覆盖SiC,价格坚挺建议按项目锁单
  • 充电桩与光伏放量,SiC现货持续紧俏

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