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IMBG120R010M1H 1200V 10mΩ车规SiC MOSFET 现货供应

型号:IMBG120R010M1H 品牌:Infineon 封装:TO-263 发布时间:2026-10-23
InfineonIMBG120R010M1H是TO-263封装的1200V10mΩ车规SiCMOSFET,主要在车身电子、三电系统与车载网络等场景使用。

Infineon IMBG120R010M1H 是 TO-263 封装的1200V 10mΩ车规SiC MOSFET,主要在车身电子、三电系统与车载网络等场景使用。该器件方案成熟,供货与技术支持渠道稳定。 韩国央行10月22日维持基准利率不变并上调今明两年增长预期,判断半导体上行周期延续;车规MCU、BMS与SiC器件交期偏紧,国产替代验证窗口打开(数据来源:腾讯网2026年10月22日报道)

核心参数

项目参数
类型1200V 10mΩ车规SiC MOSFET
关键指标详见官方数据手册
接口详见官方数据手册
封装TO-263
特色AEC-Q100车规品质
价格趋势车规MCU、BMS与SiC器件交期偏紧,国产替代验证窗口打开(数据来源:腾讯网2026年10月22日报道)

应用场景

  • 汽车电子:车身控制、车载诊断、BMS管理
  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • AEC-Q100车规认证品质
  • 集成诊断与保护,功能安全友好
  • 宽温-40℃至125℃设计
  • 国产与原厂双渠道供货
  • 车规器件交期偏紧,国产替代验证加速(数据来源:腾讯网,2026年10月22日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • AEC-Q100车规认证品质
  • 集成诊断与保护,功能安全友好
  • 宽温-40℃至125℃设计
  • 国产与原厂双渠道供货
  • 车规器件交期偏紧,国产替代验证加速(数据来源:腾讯网,2026年10月22日)

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