Infineon IMZ120R045M1H 采用 TO-247 封装,属于1200V 45mΩ SiC MOSFET,主要用于车身电子、三电系统与车载网络等场景。该器件电驱逆变核心器件,效率优于IGBT,方案已在客户端批量验证。 肖特基二极管9月价格趋势已标为上升,安森美10月10日新价执行,强茂与台半部分非合约产品调涨约10%至15%,热门车规料号交期排到16至52周并进入分货制(数据来源:东方财富2026年10月24日)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | SiC MOSFET |
| 关键指标 | 1200V 45毫欧 |
| 接口 | 栅极驱动 |
| 封装 | TO-247 |
| 特色 | 电驱逆变核心器件,效率优于IGBT |
| 价格趋势 | 肖特基二极管9月价格趋势已标为上升,安森美10月10日新价执行,强茂与台半部分非合约产品调涨约10%至15%,热门车规料号交期排到16至52周并进入分货制(数据来源:东方财富2026年10月24日) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| NVMFSC015N120M3 | onsemi | 汽车 |
| MC33907NAE | NXP | 汽车 |
| FS32K146HAT0MLLT | NXP | 汽车 |
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