Rohm SCT3060AL 采用 TO-247 封装,属于650V 30A 碳化硅MOS,主要用于车载充电机、光伏逆变与储能变流器等场景。罗姆第三代SiC MOSFET,导通电阻60毫欧,开关损耗显著低于同规格IGBT,用于高效电驱与光伏。功率分立器件交期普遍40至52周,1200V SiC仍然紧缺;AI服务器48V架构与新能源电驱同时拉动MOSFET与IGBT需求,国产替代窗口已打开(数据来源:东方财富2026年10月24日、芯片行业日报2026年10月22日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 耐压 | VDSS 650V |
| 电流 | ID 30A |
| 导通电阻 | RDS(on) 60毫欧 |
| 栅极电压 | -4至22V |
| 封装 | TO-247 |
| 特色 | 第三代SiC低开关损耗 |
| 价格趋势 | AI服务器48V架构与新能源电驱同时拉动MOSFET与IGBT需求,国产替代窗口已打开(数据来源:东方财富2026年10月24日、芯片行业日报2026年10月22日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| NCE60H15A | NCE | 功率 |
| NCP1252ADR2G | onsemi | 功率 |
| STPSC10H065D | ST | 功率 |
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