IS61WV51216EDBLL-10TLI 8Mbit 高速异步SRAM 10ns 现货供应

ISSI IS61WV51216EDBLL-10TLI 采用 TSOP-44 封装，定位为8Mbit 高速异步SRAM 10ns，主要用于高速数据缓冲、通信设备与医疗影像等场景。芯成异步SRAM，512K×16组织与10ns访问速度，无需刷新即可随机读写，适合做高速数据缓冲与双口缓存。TrendForce 11月3日报DDR5 16Gb 4800/5600以及DDR4 16Gb、DDR4 8Gb现货均价均与上日持平，涨势转为高位盘整；三星已暂停10月DDR5合约报价、恢复时间或延至11月中旬，SK海力士与美光跟进，渠道惜售情绪依旧浓厚（数据来源：TrendForce与金十数据，2026年11月3日）。（数据来源见下方价格趋势与行情说明）

核心参数

应用场景

• 高算力场景：算法密集型处理、实时控制、图像处理
• 电子设备：通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

• 高可靠擦写寿命设计，数据保持能力稳定
• 主流接口标准，替换与迁移友好
• 宽温等级覆盖工业场景
• 多品牌交叉替代方案齐全
• 三星暂停10月DDR5报价、原厂惜售，DDR5现货一周内飙升25%（数据来源：金十数据，2026年11月3日）

如有需求，请联系：13423736244 13603072128 QQ：517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

• 高可靠擦写寿命设计，数据保持能力稳定
• 主流接口标准，替换与迁移友好
• 宽温等级覆盖工业场景
• 多品牌交叉替代方案齐全
• 三星暂停10月DDR5报价、原厂惜售，DDR5现货一周内飙升25%（数据来源：金十数据，2026年11月3日）

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