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W25Q80EWSSIQ 8Mbit 1.8V NOR Flash 现货供应

型号:W25Q80EWSSIQ 品牌:Winbond 封装:SOIC-8 发布时间:2026-11-04
WinbondW25Q80EWSSIQ采用SOIC-8封装,定位为8Mbit1.8VNORFlash,主要用于电池供电低功耗终端、可穿戴与手持设备与传感器节点固件存储等场景。

Winbond W25Q80EWSSIQ 采用 SOIC-8 封装,定位为8Mbit 1.8V NOR Flash,主要用于电池供电低功耗终端、可穿戴与手持设备与传感器节点固件存储等场景。华邦低电压QSPI NOR Flash,8Mbit容量、1.65V至1.95V供电,支持单双四线SPI与QPI,擦写寿命十万次级,是低电压便携设备与电池终端存放固件的经典容量段。三星自10月起暂停DDR5合约报价后,DDR5现货价单月从7.68美元涨至15.5美元左右、涨幅逾一倍,SK海力士与美光跟进惜售;长鑫科技11月4日将回购上限从20亿元上调至50亿元,国产存储景气度与原厂侧同步走强(数据来源:TechNews科技新报与财联社,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
容量8Mbit(1MB)
接口SPI/QSPI,最高104MHz
工作电压1.65V至1.95V
擦写寿命10万次级
封装SOIC-8 208mil
工作温度-40℃至85℃
价格趋势长鑫科技11月4日将回购上限从20亿元上调至50亿元,国产存储景气度与原厂侧同步走强(数据来源:TechNews科技新报与财联社,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 高可靠擦写寿命设计,数据保持能力稳定
  • 主流接口标准,替换与迁移友好
  • 宽温等级覆盖工业场景
  • 多品牌交叉替代方案齐全
  • 三星暂停DDR5合约报价、现货单月翻倍,原厂惜售情绪浓厚(数据来源:TechNews科技新报,2026年11月4日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 高可靠擦写寿命设计,数据保持能力稳定
  • 主流接口标准,替换与迁移友好
  • 宽温等级覆盖工业场景
  • 多品牌交叉替代方案齐全
  • 三星暂停DDR5合约报价、现货单月翻倍,原厂惜售情绪浓厚(数据来源:TechNews科技新报,2026年11月4日)

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