Samsung K4B8G1646D-BYK0 采用 FBGA-78 封装,定位为8Gbit DDR3L 1600,主要用于工业主板内存续单、网络设备与机顶盒与DDR3转DDR4过渡期方案等场景。三星8Gbit DDR3L内存颗粒,128M×16组织、1.35V低电压,DDR3在本轮存储涨价中原厂产能加速退出、渠道报价大幅上行,存量维修与工业续单市场现货紧俏。三星自10月起暂停DDR5合约报价、SK海力士与美光跟进,DDR5现货价单月翻倍、从7.68美元涨至15.5美元附近;NAND第四季度合约价预估环比上涨15%至20%、涨幅较上季度显著收敛,企业级SSD是唯一涨幅扩大的品类;PC端内存均价已累计上涨331%(数据来源:TechNews科技新报与TrendForce,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 容量 | 8Gbit(512M×16) |
| 接口 | DDR3L |
| 速率 | 1600Mbps |
| 工作电压 | 1.35V(兼容1.5V) |
| 封装 | FBGA-78 |
| 温度等级 | 0℃至85℃级 |
| 价格趋势 | PC端内存均价已累计上涨331%(数据来源:TechNews科技新报与TrendForce,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| SST39VF1601C-70-4I-EKE | Microchip | 存储芯片 |
| K4B8G1646D-MYK0 | Samsung | 存储芯片 |
| KH25L12835FM2I-10G | Macronix | 存储芯片 |
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