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AI电源

SIC404ACZ-T1-GE3 DrMOS 45A 功率级 现货供应

型号:SIC404ACZ-T1-GE3 品牌:Vishay 封装:PDFN-5x6 发布时间:2026-11-05
VishaySIC404ACZ-T1-GE3采用PDFN-5x6封装,定位为DrMOS45A功率级,主要用于边缘AI加速卡供电、存储控制器主板与网络交换芯片供电等场景。

Vishay SIC404ACZ-T1-GE3 采用 PDFN-5x6 封装,定位为DrMOS 45A 功率级,主要用于边缘AI加速卡供电、存储控制器主板与网络交换芯片供电等场景。Vishay智能功率级,单相45A、5x6毫米小封装,集成驱动与功率MOS,轻载高效重载强冷设计,是中端服务器与边缘AI加速卡供电的常用功率级。VPD垂直供电方案获多家云厂商布局,2030年全球数据中心AI芯片用DrMOS市场空间有望超450亿元;晶丰明源多相控制器已在英伟达平台终端量产并获AMD认证,东微半导液冷AI服务器电源器件已量产、DrMOS与GaN新品加速导入,AI电源链国产导入窗口打开(数据来源:东北证券与中财网,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
类型DrMOS智能功率级
连续电流45A
输入电压5V至13.2V
集成驱动+双MOS一体
封装PDFN-5x6
工作温度-40℃至125℃
开关频率支持1MHz以上
价格趋势晶丰明源多相控制器已在英伟达平台终端量产并获AMD认证,东微半导液冷AI服务器电源器件已量产、DrMOS与GaN新品加速导入,AI电源链国产导入窗口打开(数据来源:东北证券与中财网,2026年11月4日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 多相供电架构,支持超大电流输出
  • PMBus全数字遥测与保护
  • 配套DrMOS功率级方案成熟
  • 国产多相方案已进入英伟达平台量产
  • VPD垂直供电打开增量空间,2030年DrMOS市场有望超450亿元(数据来源:东北证券研报,2026年11月4日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 多相供电架构,支持超大电流输出
  • PMBus全数字遥测与保护
  • 配套DrMOS功率级方案成熟
  • 国产多相方案已进入英伟达平台量产
  • VPD垂直供电打开增量空间,2030年DrMOS市场有望超450亿元(数据来源:东北证券研报,2026年11月4日)

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