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功率

SI2302CDS 20V N沟道MOSFET 现货供应

型号:SI2302CDS 品牌:Vishay 封装:SOT-23 发布时间:2026-11-07
VishaySI2302CDS采用SOT-23封装,定位为20VN沟道MOSFET,主要用于低边负载开关、LED与蜂鸣器驱动与电池保护板等场景。

Vishay SI2302CDS 采用 SOT-23 封装,定位为20V N沟道MOSFET,主要用于低边负载开关、LED与蜂鸣器驱动与电池保护板等场景。Vishay经典小信号MOSFET,20V耐压导通电阻约50mOhm,SOT-23小封装价格极低,是负载开关与低边驱动的国民料号,渠道库存巨大,消费电子与板卡基础器件。英飞凌SiC产能持续吃紧、交期26至40周,车规IGBT与低压MOSFET随电驱与AI电源需求同步上行;8英寸产能被多类需求争夺,国产功率器件验证导入节奏加快,双渠道备料成为主流策略(数据来源:华强电子网与TrendForce,2026年11月)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
耐压20V
导通电阻约50mOhm@4.5V
栅极阈值约0.9V典型
功率约1.3W
电流约2.6A
封装SOT-23-3
价格趋势8英寸产能被多类需求争夺,国产功率器件验证导入节奏加快,双渠道备料成为主流策略(数据来源:华强电子网与TrendForce,2026年11月)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌SiC交期26至40周,功率器件紧缺延续(数据来源:芯闻道,2026年10月末)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌SiC交期26至40周,功率器件紧缺延续(数据来源:芯闻道,2026年10月末)

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