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IRFP4468NPBF 100V 290A低内阻功率MOSFET 现货供应

型号:IRFP4468NPBF 品牌:Infineon 封装:TO-247 发布时间:2026-11-13
InfineonIRFP4468NPBF采用TO-247封装,定位为100V290A低内阻功率MOSFET,主要用于电池管理系统、储能变流与电动工具等场景。

Infineon IRFP4468NPBF 采用 TO-247 封装,定位为100V 290A低内阻功率MOSFET,主要用于电池管理系统、储能变流与电动工具等场景。100V平台2.6mΩ超低内阻,电池组与直流母线大电流通断,储能与电动工具高压端主力。。英飞凌宣布在300mm碳化硅晶圆上成功制造功率器件、芯片产量提升至2.3倍;安世称订单完全超额,汽车功率器件供应链瓶颈延续(数据来源:新浪证券与路透社,2026年11月12日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

核心参数

项目参数
耐压100V
电流290A@25℃
导通阻抗2.6mΩ
栅荷Qg 274nC
封装TO-247AC
工作温度-55℃~150℃
价格趋势安世称订单完全超额,汽车功率器件供应链瓶颈延续(数据来源:新浪证券与路透社,2026年11月12日)。(数据来源见下方价格趋势与行情说明)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 无线通信:无线模块、基站设备、物联网终端
  • 电子设备:通用电子设备、配套电路、整机集成

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌300mm碳化硅晶圆制造成功,SiC器件产量提升至2.3倍(数据来源:新浪证券,2026年11月12日)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

商品特性

  • 低导通阻抗,显著降低系统损耗
  • 大电流能力,适配电池与电驱系统
  • 标准封装,散热与并联设计简单
  • 国产替代进程加速,双渠道供货
  • 英飞凌300mm碳化硅晶圆制造成功,SiC器件产量提升至2.3倍(数据来源:新浪证券,2026年11月12日)

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