FDMS86181ET100 安森美100V双N沟道MOSFET 现货供应

商品概述

FDMS86181ET100是安森美推出的100V双N沟道PowerTrench MOSFET，采用PQFN 5mm×6mm封装。该芯片集成两个低RDSON MOSFET，适合半桥和同步Buck应用，广泛用于工业电源、通信设备、电机驱动。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商，590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供，FDMS86181ET100全系列封装齐全，可承接中小批量订单与大单锁货需求，支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件，部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 工业自动化：自动化产线、控制系统、设备集成

商品特性

• 类型： 双N沟道MOSFET
• 耐压VDS： 100V
• 连续电流ID： 16A
• RDS(on)： 18mΩ
• onsemi/安森美品牌原厂保障，品质稳定可靠
• 2026年9月工业和通信电源对半桥MOSFET需求稳定，FDMS86181现货供应充足，数据来源：IC交易网 2026.09

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