MT41J128M16JT-187E是Micron/美光推出的2Gb DDR3 SDRAM,容量256MB,数据速率1600Mbps,x16位宽,采用FBGA-96封装。该芯片容量2Gb / 256MB,接口Parallel x16,工作电压1.5V,擦写寿命-,广泛应用于工业控制、网络通信、消费电子、汽车电子和AI边缘设备的代码存储与数据缓存。当前存储市场DDR5/NAND/NOR行情波动,MT41J128M16JT-187E凭借其稳定品质和成熟供应链成为工程师优先考虑的存储方案。。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,MT41J128M16JT-187E全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | DDR3 SDRAM |
| 容量 | 2Gb / 256MB |
| 接口 | Parallel x16 |
| 封装 | FBGA-96 |
| 工作电压 | 1.5V |
| 擦写寿命 | - |
| 时钟/速率 | 1600Mbps |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |
| 价格趋势 | 2026年9月存储芯片需求稳定,现货价格行情平稳(来源:华强电子网/IC交易网 2026.09) |
如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| FM25V10-G | Infineon/英飞凌 | 存储芯片 |
| M24C64-FMH6TP | ST/意法半导体 | 存储芯片 |
| IS43TR16256AL-125KBL | ISSI/芯成 | 存储芯片 |
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