SCT3080KLHR是ROHM/罗姆推出的罗姆第三代沟槽型SiC MOSFET,1200V/81mΩ,开尔文源极引脚降低开关损耗,采用TO-263-7L封装。该芯片耐压1200V,连续电流31A,导通电阻81mΩ @ VGS=18V,具备低开关损耗、高可靠性和优异热性能,广泛应用于电机驱动、电源开关、逆变器、电池保护和汽车电子。随着工业电机和新能源市场需求回暖,SCT3080KLHR等中低压/高压功率器件现货流通活跃,国产替代方案逐步成熟。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,SCT3080KLHR全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | SiC MOSFET |
| 耐压VDS/VCE | 1200V |
| 连续电流 | 31A |
| 导通电阻/压降 | 81mΩ @ VGS=18V |
| 封装 | TO-263-7L |
| 栅极电荷 | 典型44nC |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 驱动电压 | 18V/-4V |
| 价格趋势 | 2026年9月SiC受瑞萨/意法涨价函带动,渠道报价上行10%-20%(来源:IC交易网/新闻热点 2026.09) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IKW75N65EH7 | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| C3M0075120D | Wolfspeed/科锐 | 功率器件 |
| FDB20N50 | onsemi/安森美 | 功率器件 |
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