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存储芯片

IS62WV51216EBLL-55TLI 8Mb高速异步SRAM 现货供应

型号:IS62WV51216EBLL-55TLI 品牌:ISSI/芯成 封装:TSOP-44 发布时间:2026-09-20
IS62WV51216EBLL-55TLI是ISSI/芯成推出的ISSI8Mb低功耗异步SRAM,55ns快速访问,16位总线,工业级温度,采用TSOP-44封装。

商品概述

IS62WV51216EBLL-55TLI是ISSI/芯成推出的ISSI 8Mb低功耗异步SRAM,55ns快速访问,16位总线,工业级温度,采用TSOP-44封装。该芯片容量8Mb (512K×16),接口并行总线,工作电压2.4V~3.6V,擦写寿命-,广泛应用于工业控制、网络通信、消费电子、汽车电子和AI边缘设备的代码存储与数据缓存。当前存储市场DDR5/NAND/NOR行情波动,IS62WV51216EBLL-55TLI凭借其稳定品质和成熟供应链成为工程师优先考虑的存储方案。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,IS62WV51216EBLL-55TLI全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

项目参数
类型异步SRAM
容量8Mb (512K×16)
接口并行总线
封装TSOP-44
工作电压2.4V~3.6V
擦写寿命-
时钟/速率55ns访问时间
工作温度-40℃~+85℃工业级
价格趋势2026年9月SRAM因产能收缩交期拉长至12周以上(来源:华强电子网 2026.09)

应用场景

  • 高算力场景:算法密集型处理、实时控制、图像处理
  • 数据存储:程序代码存储、数据记录、固件承载
  • 工业存储:工控设备、监控设备、工业终端存储

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型号品牌分类说明
AT45DB321E-SHF-BMicrochip/微芯存储芯片同系列在售现货,可替代询价
FM25V10-GInfineon/英飞凌存储芯片同系列在售现货,可替代询价
M24C64-FMH6TPST/意法半导体存储芯片同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • 8Mb (512K×16)容量
  • 并行总线接口,兼容性强
  • 55ns访问时间高速读写
  • TSOP-44封装便于量产
  • 工业级温度范围,可靠性高
  • 2026年9月存储行情波动,建议提前备货

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

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