IS62WV51216EBLL-55TLI是ISSI/芯成推出的ISSI 8Mb低功耗异步SRAM,55ns快速访问,16位总线,工业级温度,采用TSOP-44封装。该芯片容量8Mb (512K×16),接口并行总线,工作电压2.4V~3.6V,擦写寿命-,广泛应用于工业控制、网络通信、消费电子、汽车电子和AI边缘设备的代码存储与数据缓存。当前存储市场DDR5/NAND/NOR行情波动,IS62WV51216EBLL-55TLI凭借其稳定品质和成熟供应链成为工程师优先考虑的存储方案。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,IS62WV51216EBLL-55TLI全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | 异步SRAM |
| 容量 | 8Mb (512K×16) |
| 接口 | 并行总线 |
| 封装 | TSOP-44 |
| 工作电压 | 2.4V~3.6V |
| 擦写寿命 | - |
| 时钟/速率 | 55ns访问时间 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃工业级 |
| 价格趋势 | 2026年9月SRAM因产能收缩交期拉长至12周以上(来源:华强电子网 2026.09) |
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| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| AT45DB321E-SHF-B | Microchip/微芯 | 存储芯片 |
| FM25V10-G | Infineon/英飞凌 | 存储芯片 |
| M24C64-FMH6TP | ST/意法半导体 | 存储芯片 |
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