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| 型号 | PSMN2R3-100SSEJ | 品牌 | NXP |
| 封装 | D2PAK | 分类 | 功率器件 |
| 库存 | 现货 | 批次 | 2026+ |
| 交期 | 1-3天发货 | 起订量 | 50 |
| 类型 | N沟道功率 MOSFET | 耐压 (VDS) | 100V |
| 导通电阻 (RDSon) | 2.3mΩ @ VGS=10V | 最大漏极电流 | 171A |
| 栅极电荷 (Qg) | 138nC | 封装 | D2PAK (TO-263) |
| 工作温度 | -55°C ~ +175°C | 数据手册 | https://www.nxp.com/psmn2r3 |
NXP 半导体 PSMN2R3-100SSEJ 是一款高性能 100V N 沟道功率 MOSFET，采用 Trench 技术实现超低导通电阻（典型值 2.3mΩ @ VGS=10V）。芯片最大漏极电流 171A，功耗 386W，栅极电荷仅 138nC，优化了开关损耗和导通损耗的平衡。采用 D2PAK（TO-263）封装，具备优异的热性能。广泛应用于 DC-DC 同步整流、电机驱动、ORing 二极管替代、电源管理和逆变器等高效率功率转换场景。
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