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存储芯片

MT41K256M16 美光4Gb DDR3L 存储涨价潮核心料 现货供应

型号:MT41K256M16TW-107:P 品牌:Micron 美光 封装:FBGA-96 (9×14mm) 发布时间:2026-07-28
美光(Micron)MT41K256M16TW-107:P是一款4Gb(256M×16位)DDR3L低电压SDRAM存储芯片,工作电压1.35V(兼容1.5VDDR3),数据率高达1866MT/s(DDR3-1866),CAS延迟CL=13。

美光(Micron)MT41K256M16TW-107:P 是一款4Gb(256M×16位)DDR3L低电压SDRAM存储芯片,工作电压1.35V(兼容1.5V DDR3),数据率高达1866 MT/s(DDR3-1866),CAS延迟CL=13。采用FBGA-96封装(9×14mm),支持-40°C至+95°C工业级宽温范围。DDR3L因其成熟生态和高性价比,在工业控制、网络通信、嵌入式系统和汽车电子领域仍占据绝对主流地位。2026年全球存储市场迎来新一轮涨价潮:三星已于近期宣布停产LPDDR4产能,全面转向利润更高的HBM和DDR5,导致DDR3/DDR4产能缺口持续扩大,DDR3L成为涨价幅度最猛的品类。辰芯伟业海外库存渠道稳定,可保障工业客户DDR3L持续供应。

核心参数

类型DDR3L SDRAM
容量/位宽4Gb / ×16位(256M×16)
数据率1866 MT/s / CL=13
供电电压1.35V / 兼容1.5V
工作温度-40°C ~ +95°C (工业宽温)
封装FBGA-96(9×14mm)
价格趋势7月环比上涨15-20%,三季度预判继续走强(来源:CFM闪存市场)

应用场景

  • 数据存储:程序存储、数据记录、固件承载
  • 工业存储:工控设备、监控设备、工业终端存储

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型号品牌分类说明
W25Q256JVFIQWinbond/华邦存储芯片同系列在售现货,可替代询价
W25X40CLSNIGWinbond/华邦存储芯片同系列在售现货,可替代询价
H5AN8G8NDJR-XNCMicron/美光存储芯片同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • DDR3L低电压SDRAM,4Gb密度(256M×16),1.35V供电
  • 1866MHz(DDR3-1866)高速数据率,CL=13
  • FBGA-96封装(9×14mm),-40°C~95°C工业宽温
  • 2026全球存储涨价潮核心标的,DDR3L缺口最大涨幅最猛
  • 三星停产LPDDR4产能转向HBM,DDR产能缺口持续扩大
  • 国产替代:长鑫存储CXMT DDR3,产能爬坡中交期较长

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