英飞凌(Infineon)BSC070N10NS5 是基于OptiMOS 5第5代沟槽栅极工艺的N沟道功率MOSFET,漏源耐压100V,连续漏极电流74A(@25°C),导通电阻仅7.0mΩ(@VGS=10V),栅极电荷Qg低至37nC。芯片采用TDSON-8(SuperSO8)封装,具备顶部散热设计,散热性能远超标准SO-8封装。OptiMOS 5工艺在导通电阻和开关速度之间取得卓越平衡,是48V-54V AI服务器电源架构(OCP ORV3标准)中同步整流和降压级的理想选择。2026年AI服务器算力需求和机器人产业化双重推动,100V中压MOSFET需求暴增,英飞凌产能优先配给大客户,渠道现货紧缺。辰芯伟业海外库存渠道稳定供货。
| 类型 | N沟道功率MOSFET(OptiMOS 5) |
| VDS | 100V |
| ID | 74A @ 25°C(封装限制) |
| RDS(on) | 7.0mΩ @ VGS=10V |
| Qg | 37nC(典型值) |
| 封装 | TDSON-8(SuperSO8,5×6mm) |
| 价格趋势 | 7月涨15-20%,AI服务器/机器人推动100V MOSFET需求暴增 |
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| C3M0075120D | Wolfspeed/科锐 | 功率器件 |
| SCT3080KLHR | ROHM/罗姆 | 功率器件 |
| FDB20N50 | onsemi/安森美 | 功率器件 |
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