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STD110N8F6是意法半导体（ST）采用STripFET F6技术制造的N沟道功率MOSFET，耐压80V，连续漏极电流高达110A，典型导通电阻仅4.5mΩ。该器件在TO-252（DPAK）封装中实现了极低的导通损耗和优异的开关特性，特别适合直流电机驱动、开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统等中高功率应用。STripFET F6技术优化了栅极电荷（Qg）和栅极电阻，使开关速度更快、开关损耗更低，同时保持低EMI辐射。当前该型号在华强电子网等平台有充足现货供应，工业控制、电动工具和汽车电子领域需求持续稳定。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | N沟道MOSFET |
| 漏源耐压（VDS） | 80V |
| 连续漏极电流（ID） | 110A（@25℃） |
| 导通电阻（RDS(on)） | 典型4.5mΩ（@VGS=10V） |
| 栅极电荷（Qg） | 典型64nC |
| 输入电容（Ciss） | 典型3500pF |
| 开关时间 | tr=15ns，tf=8ns（典型值） |
| 工作温度 | -55℃ ~ +175℃ |
| 封装 | TO-252（DPAK） |
| 价格趋势 | 华强电子网现货充足，价格持稳（2025.07） |
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| IRS2184SPBF | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| IKW75N65EH7 | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
| C3M0075120D | Wolfspeed/科锐 | 功率器件 |
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