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功率器件

STD110N8F6 ST N沟道功率MOSFET 80V/110A 现货供应

型号:STD110N8F6 品牌:ST/意法半导体 封装:TO-252 (DPAK) 发布时间:2026-07-30
STD110N8F6是意法半导体(ST)采用STripFETF6技术制造的N沟道功率MOSFET,耐压80V,连续漏极电流高达110A,典型导通电阻仅4.5mΩ。

STD110N8F6是意法半导体(ST)采用STripFET F6技术制造的N沟道功率MOSFET,耐压80V,连续漏极电流高达110A,典型导通电阻仅4.5mΩ。该器件在TO-252(DPAK)封装中实现了极低的导通损耗和优异的开关特性,特别适合直流电机驱动、开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统等中高功率应用。STripFET F6技术优化了栅极电荷(Qg)和栅极电阻,使开关速度更快、开关损耗更低,同时保持低EMI辐射。当前该型号在华强电子网等平台有充足现货供应,工业控制、电动工具和汽车电子领域需求持续稳定。

核心参数

项目参数
类型N沟道MOSFET
漏源耐压(VDS)80V
连续漏极电流(ID)110A(@25℃)
导通电阻(RDS(on))典型4.5mΩ(@VGS=10V)
栅极电荷(Qg)典型64nC
输入电容(Ciss)典型3500pF
开关时间tr=15ns,tf=8ns(典型值)
工作温度-55℃ ~ +175℃
封装TO-252(DPAK)
价格趋势华强电子网现货充足,价格持稳(2025.07)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 功率转换:开关电源、逆变器、功率变换电路
  • 电机驱动:电机控制、驱动电路、执行机构

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型号品牌分类说明
PESD1CANNexperia/安世功率器件同系列在售现货,可替代询价
SMBJ6.0CALittelfuse/力特功率器件同系列在售现货,可替代询价
IRL3705NPBFInfineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • N沟道MOSFET,耐压80V,连续漏极电流110A,导通电阻低至4.5mΩ(典型值)
  • 采用ST proprietary STripFET F6技术,开关损耗低,转换效率高
  • TO-252(DPAK)封装热阻低,散热性能优异,适合大电流应用
  • 100%雪崩测试通过,具备出色的抗瞬态过压能力
  • 符合RoHS标准,无铅环保封装
  • 华强电子网热卖货源,工业控制和汽车电子领域需求旺盛,现货库存充足

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型号品牌分类
PESD1CANNexperia/安世功率器件
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