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存储芯片

MT41K512M8DA-107:P Micron 4Gb DDR3L SDRAM 现货供应

型号:MT41K512M8DA-107:P 品牌:Micron/美光 封装:FBGA-78 发布时间:2026-07-30
MT41K512M8DA-107:P是美光(Micron)推出的4Gb(512M×8bit)DDR3L低功耗同步动态随机存储器,工作电压1.35V,较标准1.5VDDR3降低约20%功耗,同时保持最高1866Mbps的数据传输速率。

MT41K512M8DA-107:P是美光(Micron)推出的4Gb(512M×8bit)DDR3L低功耗同步动态随机存储器,工作电压1.35V,较标准1.5V DDR3降低约20%功耗,同时保持最高1866Mbps的数据传输速率。该芯片采用8n预取架构和片上温度传感器,支持自动刷新和自刷新模式,FBGA-78封装符合JEDEC标准,可兼容主流DDR3L内存插槽和控制器。MT41K512M8DA广泛应用于工业计算机、网络通信设备、嵌入式系统、医疗设备等领域。当前存储芯片市场正处于涨价周期,三星、SK海力士、美光三大原厂加速退出DDR4/DDR3利基型产品,转向高利润的DDR5和HBM,导致DDR3/DDR4现货供应持续收紧,价格持续走高,建议有长期需求的客户尽早锁定库存。

核心参数

项目参数
容量/位宽4Gb(512M×8bit)
类型DDR3L SDRAM
工作电压1.35V(DDR3L低电压)
最高速率1866Mbps(PC3L-14900)
CL时序CL=13(DDR3L-1866)
工作温度-40℃ ~ +95℃(工业级)
封装FBGA-78(8mm×14mm)
刷新周期64ms(8192次刷新)
价格趋势存储涨价潮持续,DDR3/DDR4供应收紧(TrendForce/CFM,2025.07)

应用场景

  • 数据存储:程序存储、数据记录、固件承载
  • 工业存储:工控设备、监控设备、工业终端存储

相关型号现货

型号品牌分类说明
H5TQ4G83AFR-PBCSamsung/三星存储芯片同系列在售现货,可替代询价
W25Q256JVFIQWinbond/华邦存储芯片同系列在售现货,可替代询价
W25X40CLSNIGWinbond/华邦存储芯片同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • 4Gb(512M×8bit)DDR3L SDRAM,低电压1.35V设计,功耗较标准DDR3降低20%
  • 数据速率最高1866Mbps(PC3L-14900),支持高速数据吞吐
  • 采用8n预取架构和片上温度传感器,支持自动刷新和自刷新模式
  • FBGA-78封装,符合JEDEC标准,与主流DDR3L插槽兼容
  • 工业级温度范围-40℃~+95℃,适合严苛环境下的长期稳定运行
  • 存储芯片涨价潮持续蔓延,三大原厂加速退出DDR4/DDR3利基市场,现货供应趋紧,建议提前备货

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型号品牌分类
H5TQ4G83AFR-PBCSamsung/三星存储芯片
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