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功率器件

IRF5305STRLPBF Infineon P沟道MOSFET 55V/31A 现货供应

型号:IRF5305STRLPBF 品牌:Infineon/英飞凌 封装:D2PAK (TO-263) 发布时间:2026-07-30
IRF5305STRLPBF是英飞凌(Infineon)采用HEXFET技术制造的P沟道功率MOSFET,漏源耐压-55V,连续漏极电流-31A,典型导通电阻65mΩ。

IRF5305STRLPBF是英飞凌(Infineon)采用HEXFET技术制造的P沟道功率MOSFET,漏源耐压-55V,连续漏极电流-31A,典型导通电阻65mΩ。该器件具有快速的开关速度和低栅极电荷(Qg=38nC),采用D2PAK(TO-263)贴片封装,既支持自动化SMT生产,又提供良好的散热性能。IRF5305符合AEC-Q101汽车级标准,广泛应用于汽车电子、电源管理、电机驱动、负载开关等领域。根据CMTelec第28周数据,该型号询盘量环比暴涨243.71%,位列当周需求激增榜第二名,反映出汽车电子和工业电源领域对P沟道MOSFET的强劲需求。当前现货供应紧张,建议有需求的客户尽快锁定库存。

核心参数

项目参数
类型P沟道MOSFET
漏源耐压(VDS)-55V
连续漏极电流(ID)-31A(@25℃)
导通电阻(RDS(on))典型65mΩ(@VGS=-10V)
栅极电荷(Qg)典型38nC
输入电容(Ciss)典型1200pF
开关时间tr=12ns,tf=18ns(典型值)
工作温度-55℃ ~ +175℃
封装D2PAK(TO-263)
价格趋势询盘量环比+243.71%(CMTelec Week 28, 2025.07)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 无线通信:无线模块、基站设备、物联网终端
  • 功率转换:开关电源、逆变器、功率变换电路

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型号品牌分类说明
IRL3705NPBFInfineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
IRF3205PBFInfineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
SI4488ADY-T1-GE3onsemi/安森美功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • P沟道MOSFET,耐压-55V,连续漏极电流-31A,导通电阻典型65mΩ
  • 采用Infineon HEXFET技术,开关速度快,栅极电荷Qg仅38nC
  • D2PAK(TO-263)贴片封装,适合自动化SMT生产和紧凑PCB布局
  • 100%雪崩能量测试通过,具备优异的耐瞬态过压能力
  • 符合AEC-Q101汽车级标准,适合汽车电子和工业控制应用
  • 第28周搜索量环比暴涨243.71%,汽车电子和电源管理需求激增,市场热度极高

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型号品牌分类
IRL3705NPBFInfineon/英飞凌功率器件
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