IS25LP128F-JBLE是ISSI(芯成半导体)推出的128Mb大容量串行NOR Flash存储器,采用SPI/Quad SPI/QPI/DTR多接口模式,最高时钟频率133MHz,支持DTR(双倍传输速率)实现极致数据吞吐。存储空间16M×8位,2.3V-3.6V宽电压供电,工作温度覆盖-40°C至+105°C工业级范围。标准SOIC-8封装与华邦W25Q128/V系列引脚兼容,是STM32、GD32、AT32等主流MCU外扩存储的优秀选择。当前华邦NOR Flash交期拉长至16-20周,ISSI作为重要替代品牌库存相对充裕,是BOM优化的理想方案。日本强震(2026年7月)影响半导体供应链,日系存储器交期存在延长风险。
| 项目 | 参数 |
| 存储容量 | 128Mb (16M × 8) |
| 接口类型 | SPI / Quad SPI / QPI / DTR |
| 时钟频率 | 最高133MHz (DTR模式等效266MHz) |
| 工作电压 | 2.3V ~ 3.6V |
| 工作温度 | -40°C ~ +105°C (工业级) |
| 页写入时间 | 800µs(典型值) |
| 擦除单位 | 4KB扇区 / 32KB块 / 64KB块 / 全片擦除 |
| 封装 | SOIC-8 (5.30mm宽体) |
| 现货价格 | 约¥15-¥35(含税,数据来源:DigiKey/LCSC 2026年8月) |
| 价格趋势 | NAND Flash供给持续紧张(至2027年),NOR Flash跟随上涨5%-10% |
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| FM25V10-G | Infineon/英飞凌 | 存储芯片 |
| M24C64-FMH6TP | ST/意法半导体 | 存储芯片 |
| IS43TR16256AL-125KBL | ISSI/芯成 | 存储芯片 |
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