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功率器件

IPP60R190E6 Infineon CoolMOS E6 600V N沟道功率MOSFET TO-220 现货供应

型号:IPP60R190E6 品牌:Infineon/英飞凌 封装:TO-220-3 发布时间:2026-08-05
发布时间:2026-08-05|发布企业:辰芯伟业|型号:IPP60R190E6|品牌:Infineon/英飞凌|封装:TO-220-3。

商品概述

IPP60R190E6是英飞凌CoolMOS E6系列600V N沟道超级结功率MOSFET,采用TO-220-3标准通孔封装。该器件漏源耐压600V,25°C下连续漏极电流20.2A,最大功耗151W。E6系列基于英飞凌第六代超级结技术平台,导通电阻仅190mΩ(@10V),栅极电荷63nC,FOM(RDS(ON)×Qg)值业界领先,实现极低的开关损耗和导通损耗。相比前代C3系列,E6在轻载效率方面提升明显,且性价比更高。英飞凌当前MOSFET交货周期拉长至24-32周,AI数据中心建设持续拉动功率半导体需求,建议客户提前规划备货。

核心参数

项目参数
漏源电压 VDS600V
连续漏极电流 ID20.2A (@25°C)
脉冲漏极电流 IDpuls59A
导通电阻 RDS(on)190mΩ (@10V, 9.5A)
栅极电荷 QG63nC (@10V)
输入电容 Ciss1400pF (@100V)
阈值电压 VGS(th)2.5V ~ 3.5V
最大功耗 Ptot151W
热阻 RthJC0.83 K/W
工作温度-55°C ~ +150°C
封装TO-220-3 (通孔安装)
现货价格约¥8.6-¥27.6(含税,批量价约$1.21-$1.92,数据来源:DigiKey/Infineon)
价格趋势AI基础设施拉动功率器件需求,MOSFET交期24-32周,Q4预计上涨5%-10%

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 功率转换:开关电源、逆变器、功率变换电路
  • 电机驱动:电机控制、驱动电路、执行机构

相关型号现货

型号品牌分类说明
IRL3705NPBFInfineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
IRF3205PBFInfineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
SI4488ADY-T1-GE3onsemi/安森美功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • 600V漏源耐压,20.2A连续漏极电流,TO-220通孔封装
  • 超低导通电阻190mΩ(@10V),栅极电荷仅63nC,行业领先FOM值
  • CoolMOS E6超级结技术,极低开关损耗和导通损耗,整体效率优于C3系列
  • -55°C至150°C宽工作温度范围,151W最大耗散功率
  • 出色的体二极管鲁棒性和换流坚固性,硬/软开关拓扑通用
  • Infineon MOSFET交期24-32周,AI基础设施拉动功率半导体需求持续走强

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型号品牌分类
IRL3705NPBFInfineon/英飞凌功率器件
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