IPD068N06N3 G 60V 6.8mΩ OptiMOS 3 MOSFET 现货供应

商品概述

IPD068N06N3 G是Infineon/英飞凌推出的英飞凌OptiMOS 3代60V MOSFET，D2PAK贴片封装，RDS(on) 6.8mΩ，采用D2PAK封装。该芯片耐压60V，连续电流68A，导通电阻6.8mΩ@10V，具备低开关损耗、高可靠性和优异热性能，广泛应用于电机驱动、电源开关、逆变器、电池保护和汽车电子。随着工业电机和新能源市场需求回暖，IPD068N06N3 G等中低压/高压功率器件现货流通活跃，国产替代方案逐步成熟。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商，590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供，IPD068N06N3 G全系列封装齐全，可承接中小批量订单与大单锁货需求，支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件，部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

应用场景

• 功率驱动：电机驱动、电源转换、逆变电路
• 功率转换：开关电源、逆变器、功率变换电路
• 电机驱动：电机控制、驱动电路、执行机构

商品特性

• 60V耐压，68A电流能力
• 6.8mΩ@10V低导通损耗
• D2PAK封装散热良好
• 4.5V/10V驱动，应用灵活
• 国产替代方案可选
• 2026年9月工业/汽车功率器件需求稳定

如有需求，请联系：13423736244 13603072128 QQ：517368904 eric@szcxwykj.com

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