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存储芯片

MT40A512M16JY-083E:B Micron 8Gb DDR4 SDRAM 1200MHz FBGA-96 现货供应

型号:MT40A512M16JY-083E:B 品牌:Micron/镁光 封装:FBGA-96 发布时间:2026-08-05
发布时间:2026-08-05|发布企业:辰芯伟业|型号:MT40A512M16JY-083E:B|品牌:Micron/镁光|封装:FBGA-96。

商品概述

MT40A512M16JY-083E:B是美光(Micron)推出的8Gb DDR4 SDRAM内存芯片,组织为512M×16位,最高时钟频率1200MHz(DDR4-2400等级),采用FBGA-96(8×14mm)标准封装。器件工作电压VDD=VDDQ=1.2V±60mV,VPP辅助电压2.5V,支持ODT(片内终端)、DBI(数据总线反转)、CRC(写入校验)等DDR4高级特性。8个内部Bank(×16配置)、8n-bit预取架构保障高速读写带宽。当前存储市场持续涨价,DDR5产能扩张挤占DDR4晶圆产能,Q3合约价预计再涨5%-8%,建议FPGA/嵌入式系统项目提前下单锁定价格。

核心参数

项目参数
存储容量8 Gb (512M × 16)
类型DDR4 SDRAM
最大时钟频率1200 MHz (DDR4-2400)
数据总线宽度16 bit
内部Bank8个 (×16) / 16个 (×4, ×8)
电源电压 VDD/VDDQ1.14V ~ 1.26V (标称1.2V)
VPP辅助电压2.375V ~ 2.75V (标称2.5V)
工作温度0°C ~ +95°C (TC)
刷新周期8192-cycle / 64ms (@0°C~85°C)
封装FBGA-96 (8×14mm)
现货价格约¥63-¥135(含税,批量价$7-19,数据来源:taoic/viczone 2026年8月)
价格趋势DDR5产能转移致DDR4供给收紧,Q3合约价预计再涨5%-8%(来源:TrendForce)

应用场景

  • 数据存储:程序存储、数据记录、固件承载
  • 工业存储:工控设备、监控设备、工业终端存储

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商品特性

  • 8Gb (512M×16) 大容量DDR4 SDRAM,1200MHz (DDR4-2400)数据速率
  • 1.2V低电压供电±60mV,支持VPP=2.5V辅助电源
  • 8个Bank(x16)/16个Bank(x4,x8),8n-bit预取架构
  • 支持DBI、ODT、CRC、ZQ校准,JEDEC JESD-79-4标准合规
  • 片上可调VREFDQ,自刷新、LPASR低功耗自刷新模式
  • DDR5产能转移导致DDR4供给收紧,合约价Q3预计再涨5%-8%

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型号品牌分类
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