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Infineon IPB019N08N3G是一款功率器件芯片，80V/150A大功率规格，1.9mΩ超低导通电阻。OptiMOS技术实现高效率功率转换该器件采用TO-263 (D2PAK)封装，类型为N沟道功率MOSFET，耐压(Vds)为80V，连续漏极电流(Id)为150A，导通电阻(Rds(on))为1.9mΩ @ Vgs=10V，栅极电荷(Qg)为85nC。英飞凌MOSFET短缺至27Q3，AI电源交期40周+（市场周报 2026-08-08）
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | N沟道功率MOSFET |
| 耐压(Vds) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| 导通电阻(Rds(on)) | 1.9mΩ @ Vgs=10V |
| 栅极电荷(Qg) | 85nC |
| 封装 | TO-263 (D2PAK) |
| 工作温度 | -55°C ~ +175°C |
| 技术 | OptiMOS（硅沟槽工艺） |
| 价格趋势 | 英飞凌MOSFET短缺持续至27Q3，交期40周+（市场周报 2026-08-08） |
- DC-DC同步整流：1.9mΩ超低导通电阻大幅降低同步整流损耗 - 电机驱动逆变器：80V耐压适合48V电机驱动，高电流承载能力强 - AI服务器电源：数据中心12V/48V总线功率转换核心器件
- 80V/150A大功率规格，1.9mΩ超低导通电阻 - OptiMOS技术实现高效率功率转换 - TO-263封装散热优异，85nC低栅极电荷 - 工业级-55°C至175°C宽温范围 - 英飞凌MOSFET短缺至27Q3，AI电源交期40周+（市场周报 2026-08-08）
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| SCT3080KLHR | ROHM/罗姆 | 功率器件 |
| FDB20N50 | onsemi/安森美 | 功率器件 |
| IPB017N10N5 | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
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