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功率器件

IPB019N08N3G OptiMOS N沟道MOSFET 80V 150A 现货供应

型号:IPB019N08N3G 品牌:Infineon 封装:TO-263 (D2PAK) 发布时间:2026-08-08
InfineonIPB019N08N3G是一款功率器件芯片,80V/150A大功率规格,1.9mΩ超低导通电阻。

商品概述

Infineon IPB019N08N3G是一款功率器件芯片,80V/150A大功率规格,1.9mΩ超低导通电阻。OptiMOS技术实现高效率功率转换该器件采用TO-263 (D2PAK)封装,类型为N沟道功率MOSFET,耐压(Vds)为80V,连续漏极电流(Id)为150A,导通电阻(Rds(on))为1.9mΩ @ Vgs=10V,栅极电荷(Qg)为85nC。英飞凌MOSFET短缺至27Q3,AI电源交期40周+(市场周报 2026-08-08)

核心参数

项目参数
类型N沟道功率MOSFET
耐压(Vds)80V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(Rds(on))1.9mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)85nC
封装TO-263 (D2PAK)
工作温度-55°C ~ +175°C
技术OptiMOS(硅沟槽工艺)
价格趋势英飞凌MOSFET短缺持续至27Q3,交期40周+(市场周报 2026-08-08)

应用场景

- DC-DC同步整流:1.9mΩ超低导通电阻大幅降低同步整流损耗 - 电机驱动逆变器:80V耐压适合48V电机驱动,高电流承载能力强 - AI服务器电源:数据中心12V/48V总线功率转换核心器件

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型号品牌分类说明
IRF3205PBFInfineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
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IKW40N60H3Infineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

- 80V/150A大功率规格,1.9mΩ超低导通电阻 - OptiMOS技术实现高效率功率转换 - TO-263封装散热优异,85nC低栅极电荷 - 工业级-55°C至175°C宽温范围 - 英飞凌MOSFET短缺至27Q3,AI电源交期40周+(市场周报 2026-08-08)

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