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功率器件

SI4488ADY-T1-GE3 Vishay 60V双MOSFET 现货供应

型号:SI4488ADY-T1-GE3 品牌:onsemi/安森美 封装:DPAK 发布时间:2026-09-04
SI4488ADY-T1-GE3是Vishay推出的60VN沟道双MOSFET,采用SOIC-8封装。

商品概述

SI4488ADY-T1-GE3是Vishay推出的60V N沟道双MOSFET,采用SOIC-8封装。该芯片集成两个低RDSON MOSFET,适合同步Buck、半桥、电机驱动等应用。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,SI4488ADY-T1-GE3全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

项目参数
类型双N沟道MOSFET
耐压VDS60V
连续电流ID6.9A
RDS(on)22mΩ
封装SOIC-8
配置双管
工作温度-55℃~+150℃
价格趋势2026年9月同步Buck和电机驱动对双MOSFET需求稳定,SI4488A现货价格约¥3-6(来源:立创商城 2026.09)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 功率转换:开关电源、逆变器、功率变换电路
  • 电机驱动:电机控制、驱动电路、执行机构

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型号品牌分类说明
IRF3205PBFInfineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
IKW40N60H3Infineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价
IPA60R600E6Infineon/英飞凌功率器件同系列在售现货,可替代询价

商品特性

  • 类型: 双N沟道MOSFET
  • 耐压VDS: 60V
  • 连续电流ID: 6.9A
  • RDS(on): 22mΩ
  • onsemi/安森美原厂/国产替代方案成熟,供应链灵活可控
  • 2026年9月同步Buck和电机驱动对双MOSFET需求稳定,SI4488A现货价格约¥3-6,数据来源:立创商城 2026.09

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

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IRF3205PBFInfineon/英飞凌功率器件
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