SI4488ADY-T1-GE3是Vishay推出的60V N沟道双MOSFET,采用SOIC-8封装。该芯片集成两个低RDSON MOSFET,适合同步Buck、半桥、电机驱动等应用。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,SI4488ADY-T1-GE3全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | 双N沟道MOSFET |
| 耐压VDS | 60V |
| 连续电流ID | 6.9A |
| RDS(on) | 22mΩ |
| 封装 | SOIC-8 |
| 配置 | 双管 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 价格趋势 | 2026年9月同步Buck和电机驱动对双MOSFET需求稳定,SI4488A现货价格约¥3-6(来源:立创商城 2026.09) |
如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| SCT3080KLHR | ROHM/罗姆 | 功率器件 |
| FDB20N50 | onsemi/安森美 | 功率器件 |
| IPB017N10N5 | Infineon/英飞凌 | 功率器件 |
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