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功率器件

SIHA15N60E-GE3 功率MOSFET/IGBT 现货供应

型号:SIHA15N60E-GE3 品牌:Vishay/威世 封装:TO-220F 发布时间:2026-09-29
SIHA15N60E-GE3是Vishay/威世推出的600VN沟道MOSFET,采用TO-220F封装。

商品概述

SIHA15N60E-GE3是Vishay/威世推出的600VN沟道MOSFET,采用TO-220F封装。该芯片耐压600V,连续电流15A,导通电阻0.29Ω,具备低开关损耗、高可靠性和优异热性能,广泛应用于电机驱动、电源开关、逆变器、电池保护和汽车电子。当前AI数据中心800V供电架构与新能源车需求叠加,功率器件交期持续偏长,安森美宣布10月10日起对广泛产品系列涨价、台系功率厂Q4预计跟涨10%-15%,碳化硅现货周涨6.78%,SIHA15N60E-GE3等中低压/高压功率器件现货流通活跃,国产替代方案逐步成熟。辰芯伟业作为全品类电子元器件供应链服务商,590+合作品牌、51000+SKU库存现货直供,SIHA15N60E-GE3全系列封装齐全,可承接中小批量订单与大单锁货需求,支持BOM配齐一站式采购。所有产品均可提供原厂渠道证明、批次溯源文件,部分敏感型号支持军工级资质。

核心参数

项目参数
类型N沟道MOSFET
耐压VDS/VCE600V
连续电流15A
导通电阻/压降0.29Ω
封装TO-220F
栅极电荷18nC
工作温度-55~175°C
驱动电压±20V
价格趋势2026年9月功率器件市场行情平稳,现货供应充足(来源:华强电子网/IC交易网 2026.09)

应用场景

  • 功率驱动:电机驱动、电源转换、逆变电路
  • 功率转换:开关电源、逆变器、功率变换电路
  • 电机驱动:电机控制、驱动电路、执行机构

商品特性

  • 600V耐压,15A电流能力
  • 0.29Ω低导通损耗
  • TO-220F封装散热良好
  • ±20V驱动,应用灵活
  • 国产替代方案可选
  • 2026年9月安森美10.10起涨价、台系功率Q4跟涨10-15%,交期仍偏长(来源:涨价函/证券时报 2026.09)

如有需求,请联系:13423736244 13603072128 QQ:517368904 eric@szcxwykj.com

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