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Kioxia THGBMJG7C2LBABR是一款存储芯片芯片，eMMC 5.1标准，32GB BiCS 3D TLC NAND。集成控制器，300MB/s高速读取该器件采用FBGA-153 (11.5x13mm)封装，类型为eMMC 5.1（集成NAND+控制器），容量为32GB，NAND工艺为BiCS 3D TLC，接口为eMMC 5.1 HS400，读取速度为300MB/s。NAND Q3涨10-15%，端侧AI需求爆发（CFM 2026-08-08）
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 类型 | eMMC 5.1（集成NAND+控制器） |
| 容量 | 32GB |
| NAND工艺 | BiCS 3D TLC |
| 接口 | eMMC 5.1 HS400 |
| 读取速度 | 300MB/s |
| 写入速度 | 70MB/s |
| 封装 | FBGA-153 11.5x13mm |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C |
| 价格趋势 | NAND Q3涨10-15%，端侧AI需求爆发（CFM 2026-08-08） |
- 端侧AI设备存储：32GB大容量+集成控制器，适合AI摄像头/智能音箱端侧存储 - 车载信息娱乐系统：车规可选+eMMC标准接口，适合车载中控/导航系统存储 - 工业平板电脑：eMMC集成设计简化BOM，适合工业平板和HMI存储方案
- eMMC 5.1标准，32GB BiCS 3D TLC NAND - 集成控制器，300MB/s高速读取 - FBGA-153 11.5x13mm封装 - AEC-Q100车规可选 - NAND Q3涨10-15%，端侧AI需求爆发（CFM 2026-08-08）
| 型号 | 品牌 | 分类 |
|---|---|---|
| FM25V10-G | Infineon/英飞凌 | 存储芯片 |
| M24C64-FMH6TP | ST/意法半导体 | 存储芯片 |
| IS43TR16256AL-125KBL | ISSI/芯成 | 存储芯片 |
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