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存储芯片

IS66WV51216EBLL-55BLI 8Mb异步SRAM 55ns 现货供应

型号:IS66WV51216EBLL-55BLI 品牌:ISSI 封装:TSOP-44 发布时间:2026-10-06
ISSI矽成半导体IS66WV51216EBLL-55BLI是8Mb容量(512K×16)异步SRAM,访问时间55ns,TSOP-44封装,工业级-40~85℃温度范围。

商品概述

ISSI矽成半导体IS66WV51216EBLL-55BLI是8Mb容量(512K×16)异步SRAM,访问时间55ns,TSOP-44封装,工业级-40~85℃温度范围。其面向通信背板、工控主板的快速缓存与军工延续性设计,SRAM免刷新零等待的特性在实时控制场景不可替代,辰芯伟业现货供应。

核心参数

项目参数
型号IS66WV51216EBLL-55BLI
品牌ISSI
类型存储芯片
封装TSOP-44
容量8Mb(512K×16位)
类型异步SRAM
访问时间55ns
供电3.3V
温度-40℃~+85℃工业级
封装TSOP-44
价格趋势SRAM等成熟制程存储随晶圆代工涨价酝酿调价,老型号现货价值提升(台积电调价传闻 2026-10)

应用场景

  • 数据存储:程序代码存储、数据记录、固件承载
  • 工业存储:工控设备、监控设备、工业终端存储

商品特性

  • ISSI原厂正品,TSOP-44工业封装
  • 8Mb异步SRAM 55ns,-40~85℃
  • 零等待实时读写,确定性时延场景刚需
  • 军工延续性寻源重点型号,现货供应

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